3N90 ... 3N136 Chopper Transistor

Bei 3N... denkt man zuerst an Dual Gate MOSFETs. Aber so sind auch viele andere amerikanische Halbleiterbauteile benummert worden, z.B. Single Gate MOSFETs mit extra herausgeführtem Substratanschluß, Thyristoren, Doppel-FETs, und eben auch einige Chopper- Transistoren mit 4 Anschlüssen.

Auf diese Typen in meiner Datenblättersammlung bin ich erst durch mehrere Anfragen aufmerksam geworden. Ohne großen Erfolg versuchte ich, die Besonderheiten zu ergründen. Warum heißt der eine Anschluß Collector, obwohl er wie ein Emitter Strom zur Basis schickt? Leider sind die Datenblätter recht kurz. Sie enthalten keine Anwendungsbeispiele. Wer kann mir da helfen? Obwohl die Teile längst in Vergessenheit geraten sind, seit es für alles optimierte ICs gibt, möchte ich ergründen, was man sich damals dabei gedacht hat. Wer kennt Litheraturstellen dazu? Oder hat jemand noch Musterexemplare oder kennt Quellen?

Bei Sprague heißen die Typen DUET Dual Emitter SEPT Transistor, bei Teldyne Crystalonics heißen entsprechende andere Typen Silicon Epitaxial Junction Integrated Chopper Transistors

Zuerst das ausführlichste der vorliegenden Datenblätter: TELEDYNE CRYSTALONICS 3N134...136

ELECTRICAL DATA ABSOLUTE MAXIMUM RATING

PARAMETER SYMBOL 3N134 3N135 3N136 UNITS
Collector to Base Voltage BVcbo -20 -40 -60 Volts
Emitter (1) to Base Voltage BVe1bo -15 -30 -50 Volts
Emitter (2) to Base Voltage BVe2bo -15 -30 -50 Volts
Emitter to Emitter Voltage BVe1e2o 15 30 50 Volts
Emitter (1) to Collector Voltage BVe1co 15 30 50 Volts
Emitter (2) to Collector Voltage>/td> BVe2co 15 30 50 Volts
Power Diss. at 25°C Ambient Po 300 ( Derating 1.7mW/°C) mW
Junction Temp. (Oper. & Store) TJ -65°C to +200°C  
Lead Temp. (@ 1/16" from Case) TL 240°C for 10 sec.  

CHARACTERISTICS: TA=25°C (UNLESS OTHERWISE STATED) 3N134 - 3N136

Parameter Symbol Condition typ. max. Units
OffsetVoltage at Ib=1mA Ve1e2o TA = -25°C/+25°C/+85°C 50 100 uV
OffsetVoltage Change /\ Ve1e2o /\ I b= 0.5 to 1.5 mA 10 25 uV
Saturation Resistance re1e2 (sat) Ib=1mA, Iee= 0, Ie = 0.1 mA, f=1kHz 10 15 Ohm
Collector Cutoff Current Icbo Vcb = Vcbmax 6.0 10.0 nA
Emitter Cutoff Current Ie1bo,Ie2bo Veb = Vebmax 5.0 10.0 nA
Emitter Cutoff Current Ie1e2o Vee=Veemax, Vcb=0 (shorted) 2.0 5.0 nA
Emitter Cutoff Current Ie1e2o Vee=Veemax, Temp.=100°C 0.5 1.0 uA
E. to Base Capacitance Ce1b,Ce2b Veb=5V, lc=0, f=159kHz 3.0 6 pfd
E. to E. Capacitance Ce1e2 Vee=5V, Ic=0, f=159kHz 2.0 5 pfd
Collector Base Cap. Cob Vcb= 5V, Ic = 0, f =159 kHz 7.0 12 pfd





Von Teledyne Crystalonics liegt außerdem ein Datenblatt der Typen 3N129...3N133 vor. Diese haben Werte in derselben Größenordnung und sind gestaffelt nach ihren zulässigen Spannungen von 20V bis 60V.

Von SPRAGUE aus den Jahren 1964 bis 1966 liegen Datenblätter für folgende Typen vor:

         Ve1e2        Ie1    Ic      Re1e2        Offset
         Ve2e1 Vcbo   Ie2    Ib        1)         Volt.2)    fT
         max   max    max    max    min max        max     min  typ
3N90     30 V  30 V   10 mA  20 mA   10 100 Ohm    50 uV   6   12 MHz
3N91     30 V  30 V   10 mA  20 mA   10 100 Ohm   100 uV   6   12 MHz
3N92     30 V  30 V   10 mA  20 mA   10 100 Ohm   200 uV   6   12 MHz
3N93     50 V  50 V   10 mA  20 mA   10  75 Ohm    50 uV   6   12 MHz
3N94     50 V  50 V   10 mA  20 mA   10  75 Ohm   100 uV   6   12 MHz
3N95     50 V  50 V   10 mA  20 mA   10 100 Ohm   200 uV   6   12 MHz
3N114    12 V  30 V   10 mA  20 mA       50 Ohm    50 uV  12      MHz
3N115    12 V  30 V   10 mA  20 mA       50 Ohm   100 uV  12      MHz
3N116    12 V  30 V   10 mA  20 mA       50 Ohm   200 uV  12      MHz
3N117    20 V  50 V   10 mA  20 mA       50 Ohm    50 uV  12      MHz
3N118    20 V  50 V   10 mA  20 mA       50 Ohm   100 uV  12      MHz
3N119    20 V  50 V   10 mA  20 mA       50 Ohm   200 uV  12      MHz
3N123    25 V  30 V   10 mA  20 mA   10 100 Ohm   250 uV   6   15 MHz

  1)Series Resistance Re1e2 at Ib=-1mA, Ie1=Ie2=100 uA (Figure 2)
  2)Offset Voltage at Ib=-1mA, Ie1=Ie2=0, TA = -25°C/25°C/100°C (Fig.1)



Nachtrag: Ich habe in einem RCA- Datenbuch von 1962 eine kurze Notiz zu einem damals schon abgekündigten Dual Emitter Transistor gefunden:

RCA 3746 (discontinued ) : Germanium PNP type with two emitters used in a wide variety of applications requiring control of an output current by signals from two sources. It is used in mixer- oscillator circuits in superheterodyne receivers, mixer amplifier circuits, and switching circuits.
Maximum Ratings: Collector to Base Voltage: -34 V
Collector Current: -20 mA
Transistor Dissipation: 80 mW
Ambient Temperature Range ( operating ) : -65 to 71 grdC.
JEDEC No. TO-44 package, center pin = Emitter 2.

Bottom view:    B     
E1 E2 C



Achtung! Dies sind nicht die Originaldatenblätter der Hersteller, sondern Zusammenfassungen, Übersetzungen, Vereinfachungen und Erklärungen, also Interpretationen ohne Garantie für Richtigkeit. Dies ist bei der Verwendung zu beachten! Wer die Informationen beruflich braucht, sollte sich eine Kopie der Datenblätter bestellen.

Contact informations (english version). . . Informationen zur Kontaktaufnahme

Homepage index / zurück zur Startseite

Stand 30.03.03