BA111 Kapazitätsdiode Grenzwerte : Vr = 20 V Tj = 150 grdC. Tstg = -50 ... 150 grdC. Kennwerte : Vf bei If=60mA : typ 0.85 V, max 0.95V Ir bei Vr=10V : max 100 nA Durchbruchspannung für Ir=10uA : min 20 V Kapazität bei 30 MHz : bei Vr=2V : min 45 pF, typ 55 pF, max 65 pF bei Vr=4V : typ 46 pF bei Vr=10V: typ 35 pF Serienwiderstand bei Vr=2V, f=30MHz : typ 0.5 Ohm, max 1.1 Ohm Güte bei dito : Q = 200 typ. Aus Diagrammen: Der Serienwidersand sinkt bis 8V auf das 0.75 fache und ist für höhere Spannungen dann konstant. Die Güte steigt kontinuierlich auf den 2,5 fachen Wert bei 16 V. ______________________________________
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BA149 Silizium Diode Von der alten (1970!) AEG-Telefunken Diode BA149, die noch im großen Glasgehäuse (D=2.6mm, L=6.5mm ) verpackt war, habe ich leider nur wenige Daten: Sperrspannung max 50 V Temperatur max 150 grdC. Durchlaßspannung bei If=60 mA : max 1 V Sperrstrom bei Ur=50V : max 100 nA OFF- Kapazität bei f=10MHz, Ur=2V : max 7.5 pF ON- Widerstand bei 400 MHz : max 1.1 Ohm (Leider ist das wichtigste, nämlich der dazu erforderliche Strom nicht bekannt) ________________________________________
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BA182 Si- Diode für HF- Schaltanwendungen im Plastikgehäuse mit kurzen flachen Beinchen: Absolute Grenzwerte Ur = 35 V If = 100 mA Temp. : -65 ...150 grdC. Kennwerte: Durchlassspannung bei If=100mA : max 1.2 V Sperrstrom bei Ur=20 V : max 100 nA bei 60 grdC.: max 1uA Kapazität bei Ur=20V, f=1MHz : typ 0.8 pF, max 1 pF Serienwiderstand bei f=200MHz, If=5 mA : typ 0.5 Ohm, max 0.7 Ohm ________________________________________
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BA244 Si- Diode für HF- Schaltanwendungen Absolute Grenzwerte Ur = 20 V If = 100 mA Temp. : -55 ...150 grdC. Kennwerte: Durchlassspannung bei If=100mA : max 1 V Sperrstrom bei Ur=15 V : max 100 nA bei 60 grdC.: max 1uA Kapazität bei Ur=15V, f=1 MHz : typ 1.1 pF, max 2 pF Serieninduktivität : typ 2.5 nH Serienwiderstand bei f=200MHz, If=10 mA : typ 0.4 Ohm, max 0.5 Ohm ________________________________________
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BA 482 Si- Diode für HF- Schaltanwendungen nach Valvo Datenblatt: Absolute Grenzwerte Ur = 35 V If = 100 mA Temp. : -65 ...150 grdC. Kennwerte: Durchlassspannung bei If=100mA : max 1.2 V Sperrstrom bei Ur=20 V : max 100 nA bei 75 grdC.: max 1uA Kapazität bei Ur=3V, f=1...100 MHz : typ 0.7 pF, max 1 pF Serienwiderstand bei f=200MHz, If=3 mA : typ 0.8 Ohm, max 1.2 Ohm bei If=10mA : typ 0.5 Ohm _______________________________________
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BAT30 The 2 page SIEMENS datasheet for the BAT30 25 GHz Schottky Diode has little datas only: Pin Configuration: Pointed Anode Maximum Ratings: Vr = 6.5 V If = 50 mA Tj : -55 to 150 grdc. Characteristics: Forward Voltage at If= 1 mA : typ 0.2 V 1) at If= 10 mA : typ 0.6 V 1) Diode Capacitance at Vr = 0.15 V, f = 1 MHz : typ 0.14 pF, max 0.18 pF Differential Resistance at Vf = 0, f= 10 kHz : typ 15 kOhm that's all. There is a Diagram: If vs. Vf 1) in the datasheet: 0.2 mV and 0.6 mV, I think a mistake ___________________________________________
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BAY34, BAY35 , Kapazitätsdioden von Intermetall, Freiburg, 1963 BAY34 : Metallgehäuse, Kathode durch Farbpunkt gekennzeichnet. BAY35 : Glasgehäuse Angehängter Buchstabe für Kapazität bei Ur=0 : A : 80 bis 85 pF B : 83 bis 88 pF C : 85 bis 90 pF D : 88 bis 93 pG E : 90 bis 95 pF F : 93 bis 98 pF G : 95 bis 100 pF H : 98 bis 103 pF I : 100 bis 105 pF K : 103 bis 108 pF L : 105 bis 110 pF M : 108 bis 113 pF N : 110 bis 115 pF O : 113 bis 118 pF P : 115 bis 120 pF Steilheit bei Ur=0 : dC/dU = -60 pF/V Kap.Änderung zwischen Ur=0 und 1V : 30 pF Sperrwiderstand bei Ur=20mV : Ur/Ir > 2 GOhm Durchlaßwiderstand bei Uf=20mV : Uf/If > 2 GOhm Abbruchspannung Uz > 10 V _______________________________________
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BB103, 104, 203, 204 Silizium Kapazitätsdiode
Das waren wohl die ersten BB- Silizium Kapazitätsdioden
von Siemens:
BB103 Glasgehäuse, 7,3 mm
BB104 Zweifach mit gemeinsamer Kathode im Kunststoffgehäuse
2,4mm x 7,5mm x 6mm hoch (ab Leiterplatte), 2,54mm- Raster
BB203 Glasgehäuse, 3,8 mm
BB204 Zweifach mit gemeinsamer Kathode im TO92 Gehäuse
Kathode jeweils mittleres Beinchen
Grenzwerte:
Sperrspannung : 30 V
Durchlass- Strom bei 60 grdC.: 100 mA
Tu = -55 ... 100 grdC.
Durchbruch- Spannung bei 10 uA : min 32 V
Sperrstrom bei 30V, 25 grdC. :
BB103,104,204 : max 50 nA
BB104(Valvo) : max 20 nA
BB203,204(neu): max 20 nA
bei 30V, 60 grdC.:
BB103,104,204 : max 500 nA
BB104(Valvo) : max 200 nA
BB203,204(neu): max 200 nA
Kapazität bei 3V, 1MHz :
BB103 : grün: min 27 pF, max 31 pF; blau: min 29 pF, max 33 pF
BB104 : grün: min 34 pF, max 39 pF; blau: min 37 pf, max 42 pF
BB203 : grün: min 27 pF, max 31 pF; blau: min 29 pF, max 33 pF
BB204 : grün: min 34 pF, max 39 pF; blau: min 37 pf, max 42 pF
bei 30 V, 1 MHz:
BB103,203 : typ 11 pF
BB104,204 : typ 14 pF
Kapazitätsverhältnis 3V/30V :
BB103: 2,65 (2,5-2,8)
BB104: 2,65 (2,4-2,8)
BB203: 2,7 (2,55-2,8)
BB204: 2,65 (2,4-2,8)
Die Kennlinien sind im log. Spannungsmaßstab relativ schwach
S- förmig gekrümmt, ähnlich wie alle damals gefertigten UKW-
Radio- Abstimmdioden.
Gütefaktor bei 100 MHz:
BB103 bei 30 pF : min 100, typ 175
BB104 bei 38 pF : min 100, typ 200
BB203 bei 30 pF : min 130, typ 350
BB104 bei 38 pF : min 100, typ 200
Serienwiderstand bei 100 MHz :
BB103 bei 30 pF : typ 0,3 Ohm, max 0,5 Ohm
BB104 bei 38 pF : typ 0,2 Ohm, max 0,4 Ohm
Valvo: typ 0,3 Ohm, max 0,4 Ohm
BB203 bei 30 pF : typ 0,15 Ohm,max 0,4 Ohm
BB104 bei 38 pF : typ 0,2 Ohm, max 0,4 Ohm
Temperaturkoeff. Sperrschichtkap. bei 3V : typ 0.03 %/K
vom Diagramm: 0,05 %/K bei 1V bis 0.007 %/K bei 30V
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BB105: Silizium Kapazitätsdiode Maximum Ratings: Vr = 28 V Vr peak = 30 V If = 20 mA Tj = 85 grdC. Storage Temp.: -55 to 100 grdC. Characteristics: Cap at Vr=1V, f=500kHz: BB105A : typ 17 pF BB105B : typ 17.5 pF BB105G : typ 17.5 pF Cap. at Vr=3V: typ 11.5 pF Cap. at Vr=15 V : BB105A : 2.3 to 2.8 pF BB105B : 2 to 2.3 pF BB105G : 1.8 to 2.8 pF C3 / C25 : BB105A : 4...5 BB105B : 4.5...6 BB105G : 4...6 Series Resistance at f=470MHz, C=9pF : BB105A : typ 0.6, max 0.8 Ohm BB105B : typ 0.7, max 0.8 Ohm BB105G : typ 0.9, max 1.2 Ohm Real Part of forward resistance at If=5mA,f=200MHz : typ 0.4 Ohm _______________________________________
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BB106 Silizium Planar Abstimmdiode für VHF, VALVO
Roter Streifen an der Kathodenseite
Grenzwerte:
Ur = 28 V
Ur peak = 30 V
If = 20 mA
Tj = 85 grdC.
Kennwerte bei 25 grdC.:
Ir bei Ur=28V : max 50 nA
Bei 85 grdC.: max 1 uA
C bei 500 kHz, Ur=25V : 4 ... 5.6 pF
bei 3 V : min 20 pF
C- Verhältnis bei 500 kHz, Ur=3V/25V : 4.5 ... 6
Serienwiderst bei 25 pF, 200 MHz : typ 0.4 Ohm, max 0.6 Ohm
Bei dieser sehr frühen Kapazitätsdiode ändert sich die Kapazität
zwischen 10V und 20 V nur noch wenig, oberhalb 20V fast garnicht:
Typische Werte von einem Diagramm:
0.5V: 40 pF
1 V : 35 pF
3 V : 25 pF
10V : 10 pF
20V : 5,5 pF
28V : 4,5 pF
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BB109: Silizium Kapazitätsdiode
(BB109G anfragen!)
Grenzwerte:
Periodische Spitzensperrspannung : 30 V
Sperrspannung : 18 V
Lagertemp.: -55 bis 125 grdC.
Kenngrößen bei 25 grdC.:
Sperrstrom bei 28V : typ 0,4 nA, max 50 nA
bei 60 grdC.: max 0.5 uA
Kapazität bei 3V, 1MHz : min 26 pF, max 32 pF
bei 25 V : min 4,3 , max 6 pF
Kap. Verhältnis C3/C25 : min 5, max 6,5
Serienwiderstand bei 10 pF, 600 MHz : max 0,5 Ohm
Serieninduktivität mit l=1,5 mm : typ 5 nH
Das einzige Diagramm zeigt einen typischen
Kapazitätsverlauf:
52pF bei 0,3V ; 42pF bei 1V ; 34pF bei 2V ; 21pF bei 5V ;
13pF bei 10V ; 6pF bei 20V
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BB112: Silizium Kapazitätsdiode Gehäuse ähnlich TO92 Plastik-Transistorgehäuse. Kathode: Mittleres Beinchen mit einem äußeren verbunden. Anode: anderes äußeres Beinchen. Grenzwerte: Ur = 12V If = 50mA (was soll das bei einer C-Diode?) Temp.:-55 ... 125 grdC. Kennwerte: Ir bei Ur=12V, 25grdC: max 50 nA Ir bei Ur=10V, 85grdC: max 300nA Kapazität bei 1V: 440 bis 540 pF bei 9V : 14 bis 27 pF Kapazitätsverhältnis 1V zu 9V: min 18 Serienwiderstand bei 500kHz, Ur=1V: max 1.5 Ohm _______________________________________
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BB113: Silizium Kapazitätsdiode Flachgehäuse, Pins beginnend bei der abgeschrägten Ecke: Anode3, Kathoden, Anode2, Kathoden, Anode1 Alle drei Kathoden sind intern verbunden. Grenzwerte: Ur = 32 V If = 50 mA Temp.= -55...80 grdC Kennwerte: Sperrstrom bei Ur=32V, 25 grdC.: max 50 nA bei Ur=32V, 60 grdC.: max 200nA Kapazität bei 1V: 230 bis 260 pF bei 10V: 60 bis 85 pF bei 20V: min 16 pF bei 30V: max 13 pF Serienwiderstand bei 500kHz, Cd=200pF: max 4 Ohm Kapazität zwischen 2 Dioden: typ 20fF Gleichlauf: Bei Ur=1V ist die prozentuale Grundabweichung der C-Werte max 3,5 %. Dazu kommt noch eine Spannungsabhängige Toleranz: 1 bis 10V : max 1% 10 bis 20V: max 2% 20 bis 30V: max 3 % _______________________________________
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BB139 Kapazitätsdiode für VHF Tuner, Glasgehäuse DO35 Grenzwerte: Ur=30V Temperatur : -55 ... 150 grdC. Kennwerte bei 25 grdC.: Kapazität bei Ur=3V, f=1MHz : typ 29 pF bei 25 V : 4.3 ... 6 pF Verhältnis C3/C25 : 5 ... 6.5 Serienwiderst. bei f=470MHz, C=9pF : typ 0.5 Ohm Güte bei f=50 MHz, Ur=3V : Q = 280 Grenzfrequenz für Q=1 bei Ur=3V : 14 GHz Serienresonanz bei Ur=25V : typ 1.4 GHz Serieninduktivität in 1.5 mm Abstand vom Gehäuse: typ 2.5 nH _______________________________________
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BB304, Zweifach Kapazitätsdiode, gemeinsame Kathode, Datenblatt von VALVO 1979 TO 92 : Pins: A K A Grenzwerte: Ur = 30 V Tj = 100 grdC. Tstg = -55 ... 100 grdC. Kennwerte bei 25 grdC.: Sperrstrom beo Ur=30V : max 50 nA ( bei 60 grdC.: max 500nA ) Kapazitätsgruppierung bei Ur=2V, f=1MHz : rot : 42 ... 43,5 pF gelb : 43 ... 44.5 pF weiß : 44 ... 45.5 pF grün : 45 ... 46.5 pF blau : 46 ... 47.5 pF Kapazitätsverhältnis C bei 2V / C bei 8 V : min 1.65, max 1.75 Serienwiderstand bei C=38pF, f=100MHz : typ 0.2 Ohm _______________________________________
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BB305 Voltage Variable Capacitance Diode, Datasheet MOTOROLA 1972 Kathode bei der Nase des Plastikgehäuses Maximum Ratings : Vr = 35 V If = 200 mA Pd = 250 mW Tj = 125 grdC. Tstg = -65 to 150 grdC. Characteristics at 25 grdC.: Ir at Vr=30V : max 50nA, at Ta=60grdC.: max 500nA Series Inductance at f=250MHz : max 3 nH Diode Capacitance Temperature Coefficient at Vr=3V, f=1MHz : max 400 ppm/grdC. Capacitance at Vr=25V : BB305B : min 2.0 pF, max 2.3 pF BB305G : min 1.8 pF, max 2.8 pF Figure of Merit, Q at Ct=9pF, f=100MHz : BB305B : min 225, BB305G : min 150 Rs : BB305B : max 0.8 Ohm, BB305G : max 1.2 Ohm C3/C25 : BB305B : min 4.5, max 5.5 ; BB305G : min 4.0, max 5.5 ___________________________________________
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BB505 Silizium Kapazitätsdiode Siemens Datenblatt Oranges Glasgehäuse mit schwarzem Kathodenstrich. Maximum Ratings : Vr = 28 V Vr peak = 30 V If = 20 mA T ambient = -55 to 100 grdC. T storage = -55 to 150 grdC. Characteristics at 25 grdC.: Ir at Vr=28V : max 20 nA Capacitance at f=1MHz: at Vr=1V : typ 17 pF at Vr=3V : typ 11.5 pF at Vr=25V: BB505B : 2 to 2.3 pF, BB505G : 1.8 to 2.5 pF C3/C25 Cap Ratio : BB505B : 4.5 to 5.8, BB505G : 4.3 to 6 Series Resistance at C=9pF, f=470MHz : BB505B : max 0.8 Ohm, BB505G : max 1.2 Ohm _______________________________________
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BB509: Silizium Kapazitätsdiode Plastikgehäuse: Blick von der Drahtseite: Wenn die Fläche unten ist, ist Anode links, Kathode rechts. Grenzwerte: Ur=12V Temp=-55...100grdC( Lager...150grdC) Kennwerte: Kapazität bei 1V: 440 bis 600 pF bei 9V: 20 bis 40 pF Kapazitätsverhältnis 1V zu 9V: min 15 Güte bei Ur=1V, f=1MHz: typ 200 Sperrstrom bei Ur=10V, max 30nA _______________________________________
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BC170 , NPN-planar Si- Transistor in TO92, E-B-C Grenzwerte: Vcbo = 20 V Vceo = 20 V Vebo = 5 V Ic = 100mA Ptot = 300 mW Kennwerte: B bei Ic=1mA : BC170A: 35-100, BC170B: 80-250, BC170C: 200-600 Uce(sat) bei Ic=1mA,Ib=0,1mA: max 0,25 V bei Ic=30mA, Ib=3mA : max 0,4 V Transitfrequ. bei Ic=10mA und f=50MHz : typ 100 MHz Rauschmaß bei Ic=0,2mA,Rg=2kOhm,f=1kHz,B=200Hz : max 10 dB _______________________________________
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BC250 , PNP-planar Si- Transistor in TO92, E-B-C Grenzwerte: Vcbo = -20 V Vceo = -20 V Vebo = -5 V Ic = 100mA Ptot = 300 mW Kennwerte: B bei Ic=-1mA : BC250A: 35-100, BC250B: 80-250, BC250C: 200-600 Uce(sat) bei Ic=-30mA, Ib=-3mA : max 0,4 V Transitfrequ. bei Ic=-10mA und f=100MHz : typ 180 MHz _______________________________________
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BC262 , PNP-planar in TO18, E-B-C, Chip wie BC308 Grenzwerte: Vcbo = -30 V Vceo = -25 V Vebo = -5 V Ic = 100mA Ptot = 300 mW Kennwerte: B bei Ic=-2mA : BC262A: 170, BC262B: 290, BC262C: 500 Uce(sat) bei Ic=-10mA, Ib=-0,5mA : max 0,3 V Transitfrequ. bei Ic=-10mA und f=50MHz : typ 130 MHz Rauschmaß bei Ic=-0,2mA,Rg=2kOhm,f=1kHz: max 10 dB _______________________________________
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BCW91 NPN Si Transistor ( from a THOMSON CSF datasheet 1974 ) COMPLEMENTARY TYPE : BCW 93 _______ BOTTOM VIEW | C E | \_ B _/ MAXIMUM RATINGS : Vcbo = 70 V Vceo = 60 V Vebo = 5 V Ic = 800 mA Icm = 1.2 A Ptot = 0.61 W; at Tg = 25 grdC.: 1.55 W Tj, Tstg = -55 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case: max 81 K/W CHARACTERISTICS at 25 grdC.: DC Current Gain at Ic=150mA / 500mA ; Vce=2V : Group A : 100 to 200 / min 35 Group B : 150 to 300 / min 50 Group C : 200 to 400 / min 80 Vce(sat) at Ic=150mA; Ib=15mA : max 0.25 V at Ic=500mA; Ib=50mA : max 0.7 V Vbe(sat) at Ic=150mA; Ib=15mA : max 0.95 V at Ic=500mA; Ib=50mA : max 1.2 V Transit Frequ. at Ic=50mA, Vce=2V, f=100MHz : typ 120 MHz Output Cap. at Vcbo=10V : typ 7 pF, max 15 pF Input Cap. at Vebo=0.5V : typ 45 pF ___________________________________________
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BCW93 PNP Si- Transistor see complementary type BCW91 without: Output Cap. at Vcbo = -10V: typ 10 pF Input Cap. at Vebo = -0.5 V : typ 40 pF BCY65 NPN Planar Epitaxial Transistor (Aus einem VALVO Datenblatt) TO18, Nase - Emitter - Basis - Collector Grenzwerte : Vceo = 60 V Vces bei Vbe=0 : 60 V Vebo = 7 V Ic = 200 mA Ib = 50 mA Ptot = 1 W Tjunction = 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 0.15 grdC. Kennwerte: Vce(sat) at Ic=10mA, Ib=0.25 mA : typ 120mV, max 350 mV at Ic=50mA, Ib=1.25 mA : typ 100mV, max 700 mV Vbe(sat) at Ic=10mA, Ib=0.25 mA : typ 700mV, max 850 mV at Ic=50mA, Ib=1.25 mA : typ 0.9V, max 1.2 V Transit Frequ. at Vce=5V, Ic=10mA, f=100MHz : min 125 MHz, typ 250 MHz Noise Figure at Vce=5V, Ic=200uA, Rg=2 kOhm, f=1kHz,B=200Hz: typ 2 dB, max 6 dB Stromverstärkungsgruppen bei Ic=2mA / 50 mA: VII : 120...220 / typ 40 VIII: 180...310 / typ 45 IX : 250...460 / typ 60 _______________________________________
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BD187 NPN Epibase Transistor von Telefunken im TO126- Gehäuse: Absolute Maximum Ratings: Vcbo = 55 V ( at Icbo = 0.1 mA) Vceo = 45 V Vebo = 5 V ( at Iebo = 1 mA ) Ic = 4 A Ic peak = 8 A Ib = 2 A Ptot at 25 grdC.: 40 W Junction Temp.: 150 grdC. Storage Temp.: -55 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 3.12 grdC./W Characteristics at 25 grdC.: Vceo sus at Ic=100mA, t pulse = 0.3 ms : min 45 V Vce sat at Ic=2A, Ib=0.2A, t pulse = 0.3 ms : max 1 V Vbe sat at Vce=2V, Ic=2A, t pulse = 0.3 ms : max 1.5 V DC Forward Current Transfer Ratio at Vce=2V, Ic=0.5A : min 40, max 236 at 2A : min 15 Gain Bandwidth Product at Vce=10V,Ic=1A,f=1MHz : min 2 MHz BD188 PNP Transistor Für diesen Komplementärtyp gelten dieselben Werte wie für den komplementären BD187 mit anderem Vorzeichen. _______________________________________
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BD417 (NPN) und BD418 (PNP) waren ein sehr interessantes Komplementärpärchen von MOTOROLA für Bildröhrentreiber. Sie hatten eine einmalige Kombination von Daten, die später nicht mehr gebraucht wurden, weil die Bildröhren mit niedrigeren Treiberleistungen auskamen und andererseits höhere Frequenzen benötigten. BD417 : Absolute Maximum Ratings : Vceo = 80 V Vcbo = 80 V Vebo = 5 V Ic = 1 A Ic peak = 2 A Pd at T case = 25 grdC. : 10 W ! ! Tj = Tstg = -55 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 12.5 grdC/W Characteristics at 25 grdC.: DC Current Gain at Ic=50mA, Vce=1V : min 80, max 300 at Ic=0.5A : min 25 Vce(sat) at Ic=1A, Ib=0.1A : max 1 V Vbe at Ic=250mA,Vce=5V : max 1.2 V Current Gain Bandwidth Product at Ic=100mA,Vce=5V,f=20MHz : min 75 MHz, max 350MHz Collector Base Capacitance at Vcb=10V, Ie=0, f=1MHz : max 12 pF Für BD418 (PNP) alles gleich außer Ccb = max 18 pF _______________________________________
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BD937 Silicon Epibase NPN Transistor TO220, Base - Coll.=Flange - Emitter Maximum Ratings: Vcbo = 100 V Vceo = 80 V Vebo = 5 V Ic av = 3 A Ic m = 7 A Ptot = 30 W Tstg = Tj = -65 ... 150 grdC. Thermal Resistance junction to case: max 4.17 K/W Characteristics : Vce(sat) at Ic=1A, Ib=0.1A : max 0.6 V Vbe at Iv=1A, Vce=2V : max 1.3 V DC Current Gain at Vce=2V, Ic=150mA : B = 40....250 at Ic=1A : B >= 25 Transit Frequency at Vce=10V, Ic=250mA, 1 MHz : min 3 MHz Times for Ic=1A, Ibx = -Iby = 0.1 A : Turn on : typ 0.3 us Turn off: typ 1 us From a Safe Operating Area Diagram: For 10ms-pulse: 7A until 6V, knee at 2A/22V, end at 240mA/80V For 1 ms-pulse: 7A until 9V, knee at 3A/24V, end at 380mA/80V For 0.5ms-pulse: 7A until 14V, knee at 2A/45V, end at 500mA/80V For 0.1ms-pulse: 7A until 30V, end at 2.5A/80V. ___________________________________________
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BD979 NPN Darlington Transistor mit interner Emitter- Collector Schutzdiode. Anschlüsse wie üblich : links E C B rechts, wenn Loch oben. Grenzdaten: Vceo = 80 V Vcbo = 100 V Vebo = 5 V Ic = 1 A Ic peak = 2 A Ib = 0.1 A Ptot = 3.6 W (T case = 60 grdC.) Tj = Tstg = -65 ... 150 grdC. Wärmewiderstand Junction zu Gehäuse : 25 K/W Kenndaten: Stromverstärkung bei Ic=150 mA, Vce=10V : min 1000 bei Ic=500 mA : min 2000 Vce(sat) at Ic=0.5A, Ib=0.5 mA : max 1.3 V bei Ic=1A, Ib=1mA : max 1.8 V Vbe(sat) bei Ic=1A, Ib=1mA : max 2.2 V Transitfrequenz bei Ic=0.5A, Vce=5V, f=35MHz : 200 MHz Vom Diagramm: Zulässiger Betriebsbereich (SOAR): DC: 1 A bis Vce=3,6 V, dann Kurve wie für 3,6 W 100ms Pulse : 1,15 A bis 5 V, dann 5,75 W 10ms Pulse : 1.44 A bis 5 V, dann 7,2 W 1ms Pulse : 2 A bis 4,6 V , dann 9,2 W Alle kürzeren Pulse 2A 0,5 ms : 12 W 0.1 ms : 19 W 0.05 ms: 27 W 0.01 ms: 66 W 0.001ms: 160 W Über die Schutzdiode gibt es leider garkeine Angaben. _______________________________________
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BDV91 NPN Power Ts in SOT93-case (TO3-plastic). Absolute Maximum Ratings: Vcbo at Ie=0 : 60 V Vceo at Ib=0 : 60 V Vebo : 5 V Ic average : 10 A Ic peak : 20 A Ib : 4 A Ptot at 25grdC.: 90 W Junction Temp.: 150 grdC. Storage Temp.: -65 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case: max 1.39 grdC./W Characteristics at 25 grdC.: Coll. Emitter Saturation Voltage at Ic=4A, Ib=0.4A : max 1 V at Ic=10A, Ib=3.3A : max 3 V Base Emitter Saturation Voltage at Ic=4A, Ib=0.4A : max 1.5 V DC Current Gain at Vce=4V, Ic=4A :min 20 at Ic=10A : min 5 Gain Bandwidth Product at Vce=10V, Ic=0.5A : min 4 MHz Times at Ic=4A, Ibon = -Iboff = 0.4 A : on (delay + rise?) : typ 0.3 us off : typ 1.5 us fall : typ 0.5 us The BDV92 PNP komplementary Type has the same values with inverse sign. ___________________________________________
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BDW36 NPN Power Ts in TO 3 Case manufactured by MOTOROLA. Absolute Maximum Ratings: Vceo = 160V Vcer = 180V Vcbo = 200V Veb = 8V Ic = 30A Ic peak = 40A Ib = 10A Ib peak = 20A Ie = 40A Ie peak = 60A Power Diss. = 250W Derate above 25 grdC: 1.43 W/grdC Thermal Resistance Junction to Case : max 0.7 grdC/W Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased (Vce=60V,t=0.5sec): Isb = min 4.17 A Characteristics: DC Current Gain at Ic = 2A : min 50 at Ic=8A min 20 at Ic = 16A : min 8 Coll. Emitter Saturation Voltage at Ic=16A,Ib=3.2A : max 1.7V Base Emitter On Voltage at Ic=10A,Uce=4V : max 1.6V Current Gain Bandwidth Product at Ic=2A,Vce=10V,f=1MHz : min 1 MHz Safe Operating Area from a diagram: 30A until Vce=10A Next Point: 60V/4.17A Next Point: 160V/350mA ___________________________________________
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BDX63 NPN- Darlington Transistors mit interner Schutzdiode von Emitter zu Collector. Absolute Grenzwerte: Ucbo = 80V (A-Typ:100V, B-Typ:120V, C-Typ: 140V) Uceo = 60V (80/100/120V) Uebo = 5V Ic = 8 A Icm = 12A Ib = 150mA Ptot = 90W Temp. -65 ...200 grdC Wärmewiderstand Sperrschicht zu Gehäuseboden: 1,94 grdC/W Kennwerte: Gleichstromverstärkung bei Ic=0.5A: B = 1500 bei Ic= 3A: B > 1000 bei Ic= 8A: B = 2000 Grenzfrequenz Emitterschaltung bei 3A: 100 kHz Coll. Emitter Restspannung bei Ic=3A, Ib=12mA: Uce sat < 2 V Ube dafür: <2.5V Schaltzeiten bei 3A,12mA,R last = 3 Ohm : t ein = 0,5 us t aus = 2,5 us Schutzdiode: Durchlassspannung bei 3 A : 1.2V _______________________________________
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BF255 NPN epitaxial planar Transistor in TO92: Bottom view: _______ | C E B | \_____/ Absolute Maximum Ratings at 25 grdC.: Vcbo = 30 V Vceo = 20 V Vebo = 5 V Ic = 30 mA Ib = 1 mA Pc = 300 mW Tj = 150 grdC. Tstg = -55 to 125 grdC. Characteristics at 25 grdC: h FE at Vce=10V, Ic=1mA : min 36, max 125 Vbe at Ic=1mA, Vce=10V : min 650 mV, max 740 mV fT at Vce=10V, Ic=1mA, f=100MHz: typ 200 MHz Feedback Capacitance at Vcb=10V, Ic=1mA, f=0.45MHz : typ 0.85 pF Noise Figure at Vce=10V, Ic=1mA, f=100MHz, Rg=100 Ohm : typ 4 dB The datasheet has a table with y- parameters and many diagrams. ___________________________________________
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BF256 FET mein VALVO-Datenblatt stammt von 1972, aber der Typ kam wohl schon 1965 auf den Markt. Anschlussbelegung: Blick von unten, Fläche links: oben: Drain, mitte: Source, unten: Gate. Grenzwerte: Alle Sperrspannungen max 30V, Gatestrom max 10mA, Verlustleistung max 300mW. Kennwerte: Idss = 3...7mA (A-Typ), 6...13mA (B-Typ) , 11...18mA (C-Typ) Vorwärtssteilheit bei Uds=15V, Ugs=0V : min 4,5mS, typ 5mS. Rückwirkungskapazität = 0,7 pF Ausgangskapazität = 1,2pF Grenzfrequenz für Steiheitsreduzierung auf 70% : typ 1GHz, Leistungsverstärkung bei Uds=15V, 800MHz : typ 11dB Rauschzahl bei Uds=10V, Rs=47Ohm : F=7,5dB _______________________________________
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BF272 PNP Transistor for UHF-VHF AGC Amplifier: Metal case TO72: Bottom View clockwise: Nose E B C S Absolute Maximum Ratings: Vcbo : -40 V Vceo : -35 V Vebo : - 3 V Ic : -20 mA Ptot : 200 mW Tj = Tstg : -55 to 200 grdC. Characteristics at 25 grdC.: Vbe at Ic=-3mA, Vce=-10V : typ -0.75 V DC Current Gain at Ic=-3mA, Vce=-10V : min 25, typ 50 Transition Frequ. at Ic=-3mA, Vce=-10V, f=100MHz: BF272A : min 700 MHz, typ 850 MHz BF272S : typ 900 MHz Noise Figure at Ic=-3mA, Vcb=-10V, Rg=75 Ohm, f=800 MHz : BF272A : typ 3.5 dB, max 4.5 dB, at 200MHz typ 2.5 dB BF272S : typ 3 dB, max 3.9 dB , at 200MHz typ 2.2 dB Power Gain at Ic=-3mA, Vcb=-10V, RL=2 kOhm, f=800MHz: BF272A : min 12 dB, typ 15 dB, at 200 MHz typ 19 dB BF272S : typ 16 dB, at 200 MHz typ 19 dB I don't find a test circuit but a application circuit: Base grounded, Input and output tuned. ___________________________________________
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BF465 PNP Video Power Transistor
Pins:
Emitter - Base - Collector, mit Kühlblech verbunden
Maximum Ratings:
Vceo = 350 V
Vcb0 = 350 V
Vebo = 5 V
Ic = 0.5 A
Ic peak = 0.7 A
Ib = 250 mA
Pd = 2 W at Ta = 25 grdC.,
derating above 25 grdC.: 16 mW/grdC.
Pd = 10 W at Tc = 25 grdC.,
derating above 25 grdC.: 80 mW/grdC.
Tj = Tstg = -55... 150 grdC.
Thermal Resistance Junction to Case: max 12.5 grdC./W
Characteristics:
DC Current Gain at Ic = 30 mA, Vce=10V : min 40, max 180
Coll. Emitter Saturation Voltage at Ic=30mA, Ib=3mA: max 0.75 V
Base Emitter On Voltage at Ic=30mA, Vce=10V : max 0.85 V
Current Gain Bandwidth Product at Ic=10mA,Vce=20V, f=20MHz:
min 45 MHz, max 200 MHz
Common Emitter Reverse Transfer Capacitance:
at Vcb=60V,Ie=0, f=1MHz: max 3 pF
Achtung! Dieser Typ hat eine unübliche Beinchenbeschaltung:
Denselben Chip gab es auch mit der üblichen Anschlußfolge
Emitter - Collector - Basis. Dann hieß er BF762.
Der Hersteller war, denke ich, in beiden Fällen MOTOROLA,
es steht aber auf den Datenblättern leider nicht drauf.
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BF759 NPN TV Video Transistor Maximum Ratings : Vcbo = 350 V Vceo = 350 V Vebo = 6 V Ic = 0.5 A Ic peak = 0.7 A Ib = 250 mA Ptot at Tc=25grdC.: 10 W at Ambient=25grdC.: 2 W Tj = Tstg = -55 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 12,5 grdC./W Characteristics : Icbo at Vcb=250V : max 200 nA h FE at Ic=30mA, Vce=10V : min 40, typ 180 Vce(sat) at Ic=30mA , Ib=3mA : max 0.6 V Vbe at Ic=30mA : max 1 V Common Emitter Reverse Transfer Cap. at Vcb=20V, Ie=0, f=1MHz : max 3 pf BF760 ... BF762 unterscheiden sich nur durch die maximal zulässige Collector- Emitter- Spannung: BF760: 250V BF761: 300V BF762: 350V Die übrigen Daten dieser PNP Kleinleistungs- Transistoren entsprechen dem Komplementärtyp BF757 bis 759. _______________________________________
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BF900 Dual Gate MOSFET als Mischer bis 900 MHz
Ich habe mal die Kennlinien gescannt, die Ihren Wünschen am
nächsten kommen. Ich aus einem dicken Buch scannen. Deshalb
ist links der Strommaßstab verlorengegangen: Der obere Rahmen
des Diagramms ist die 50 mA -Linie des Drainstromes.
Nun noch die Grenzwerte:
Vds 20V
Vg1s=Vg2s +/- 6 V
Id 50 mA
Ig1=Ig2 +/- 10mA
Ptot 150 mW
T junction 125 grdC.
Idss : von 3 bis 30 mA - Über eine Klasseneinteilung habe ich
nichts gefunden -
Entsprechend unzuverlässig sind auch die Diagramme, außer man hat
zufällig ein Exemplar mit dem zugehörigen Idss.
BF981 Dual Gate N-channel depletion MOSFET.
The long pin is the Drain, G1 is opposite.
The pin having the nose is Source, opposite is G2.
Absolute Maximum Ratings:
Uds = 20V
Ug1s = 6V
Ug2s = 6V
Id = 20mA ( peak 30 mA )
Gate protecting Diodes : Id = 10mA
Ptot = 225 mW
T junction = 150 grDC.
Characteristics at Uds = 10V, Ug2s=4V, Id=10mA:
|Y 21s| = min 10 mS, typ 14 mS
Cg1s = 2.1 pF
Cg2s = 1 pF
C out = 1.1 pF
C reverse = 20 fF
Noise Figure at 100MHz : F = typ 0.7 dB, max 1.7 dB
at 200MHz : F = typ 1 dB, max 2 dB
Der Typ ist also auf Rauschzahl, weniger auf Versärkung gezüchtet.
BF982: Dual Gate N-Ch. MOSFET
Absolute Maximum Ratings:
Uds = 20 V
Ug1s =Ug2s= 8V
Id = 40mA
Ptot = 225 mW
Characteristics at Uds = 10V, Ug2s=4V, Id=15mA:
|Y 21s| = min 20 mS, typ 25 mS
Cg1s = 4 pF
Cg2s = 1.7 pF
C out = 2 pF
C reverse = 30 fF
Noise Figure at 200MHz : F = typ 1.2 dB.
I use the BF982 for buffers and drivers in my SW-homemade
Transceiver. It can deliver 50mW on 100MHz.
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BFG96
from VALVO databook 1986: ( I try to
translate the german language datasheet)
E
B C= long pin
E
Maximum Ratings :
Vcbo = 20 V
Vceo = 15 V
Vebo = 3 V
Ic average = 150 mA
Ptot = 700 mW
Tj = Tstg = -65 to 175 grdC.
Thermal Resistance Junction to Collector Pin : 75 grdC./W
Characteristics at 25 grdC.:
DC Current Gain at Vce=10V, Ic=50mA : min 25, typ 50
Transit Frequency at Vce=10V, Ic=50mA, f=500MHz : typ 5 GHz
Collector Capacit.at Vcb=10V, Ie=0, f=1MHz : typ 1.5 pF
Emitter Cap. at Veb=0.5V, Ic=0, f=1MHz : typ 6.5 pF
Reverse Cap. at Vce=10V, Ic=0, f=1MHz: typ 1 pF
Optimal Power Gain at Vce=10V, Ic=50mA, f=800MHz : typ 15 dB
at 2 GHz : typ 8 dB
Output Power at 1dB Compression,
at Vce=10V, Ic=70mA, Rload=75 Ohm, f=800 MHz : typ + 21 dBm
Intermodulation Distortion with 3 signals:
at Vce=10V, Ic=70mA, Rload=75 Ohm, s<2,
Vp = Vo = 700mV, 795,25 MHz;
Vq = Vo - 6dB, 803,25 MHz;
Vv = Vo - 6dB, 805,25 MHz : typ -60 dB
2nd Harmonics at the same conds. with Vp=316mV, 250MHz;
Vq=316mV, 560MHz; on f(p+q) = 810MHz : typ -52 dB
3rd Intercept Point at the same conds,
on 802MHz/799MHz : +40dBm
I don't find Noise Characteristics.
The datasheet has a big table for s- parameters.
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BFQ29 P
Case SOT23, Stamp : KC
Maximum Ratings:
Vceo = 15 V
Vcbo = 20 V
Vebo = 3 V
Ic = 30 mA
Ib = 4 mA
Ptot = 280 mW
Junction Temp.: -65 to 150 grdC.
Thermal resistance junction to ambient on AL2O3-keram.
substrate 15 x 17 x 0.7 mm: max 450 K/W
Characteristics at 25 grdC.:
Current Gain at Ic=3mA, Vce = 6V : 50 < h FE < 250
at Ic=10mA : typ 140
Vcesat at Ic=20mA, Ib = 1 mA : typ 0.1 V, max 0.4 V
Transit Frequ. at Ic=20 mA, Vce=6V, f=200 MHz:
min 3.6 GHz, typ 5 GHz
Collector- Base Cap. at Vcb=10V, Vbe=0, f=1MHz :
typ 0.5 pF, max 0.65 pF
Collector- Emitter Cap. at Vce=10V, Vbe=0, f=1MHz :
typ 0.28 pF
Noise Figure at Ic=3mA,Vce=6V,f=10MHz,Rs=75Ohm :
typ 0.9 dB, max 1.2 dB
at Ic=4mA, Vce=6V, f=800 MHz, Rs=50Ohm : typ 1.8 dB
Linear Output Voltage
(2- signal: f1=806 MHz, f2=810 MHz, d IM = 60dB, Ic=20mA,
Vce=6V, Rs = Rl = 50 Ohm) : V 01 = V 02 = typ 180 mV
The datasheet has listed the S-parameters for Emitter = Gnd ,
Vce=6V , Ic=2/5/10/20mA and frequencies 0.1 to 2 GHz.
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BFQ34T habe ich nur ein inoffizielles Papier. Aber ich denke, alle hier fehlenden Daten sind wie beim normalen BFQ34. Denn das andere Gehäuse dürfte nur auf Kapazitäten und thermische Daten Einfluß haben. Grenzwerte: Vcbo = 25 V Vceo = 18 V Vebo = 2 V Ic = 150 mA Pd = 1 W bei Umgebungstemperatur 45 grdC. Junction Temperature : 175 grdC. Storage Temp. -65 to 175 grdC. Kennwerte bei 25 grdC.: Grenzfrequenz bei Ic=100mA,f=500MHz: 3,7 GHz Gleichstrom Verstärkungsfaktor bei Ic=100mA, Vce=10V: B min 25 Collector Kapazität bei Vce=10V, Ie=0, f=1MHz : typ 2 pF Rückwirkungskapazität bei... : typ 1.2 pF Leistungsverstärkung bei Ic=100mA, Vce=10V, f=300MHz : typ 20 dB Leider fehlt die Eingangskapazität und der Thermische Widerstand zur Umgebung. Vom normalen BFQ34 habe ich ein ausführlicheres 8 seitiges VALVO- Datenblatt. _______________________________________
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BFQ52: PNP planar RF Transistor Case TO72, Bottom View, clockwise: Nose, Emitter, Base, Collector, Case Absolute Maximum Ratings: Vcbo at Ie=0 : 20V Vceo at Ib=0 : 15V Vebo at Ic=0 : 2 V Ic average : 25 mA Ic peak : 35 mA Ptot at Ta=65grdC. : 150 mW Temp.: -65 to 200 grdC Thermal Resistance Junction to Case: max o.6 grdC./W Characteristics: DC Current Gain at Vce=-10V,Ic=-14mA : min 20, typ 50 Transit Frequ. : typ 5 GHz Collector Cap. at Vcb=-10V: typ 0.85 pF (at Vcb=-2V : 1 pF) Emitter Cap. at Veb=-0.5V: typ 1.2 pF C12e = 0.5 pF Max. Power Gain at Vce=-10V, Ic=-14mA, f=500MHz : typ 17 dB Noise Figure at Vce=-10V, Ic=-2mA, f=500MHz : typ 2.7 dB ___________________________________________________ BFQ53: NPN planar RF Transistor Case TO72, Bottom View, clockwise: Nose, Emitter, Base, Collector, Case Absolute Maximum Ratings: Vcbo at Ie=0 : 20V Vceo at Ib=0 : 15V Vebo at Ic=0 : 2 V Ic average : 25 mA Ic peak : 35 mA Ptot at Ta=65grdC. : 150 mW Temp.: -65 to 200 grdC Thermal Resistance Junction to Case: max o.6 grdC./W Characteristics: DC Current Gain at Vce=10V,Ic=14mA : min 25, typ 50 Transit Frequ. : typ 5 GHz Collector Cap. at Vcb=10V: typ 0.75 pF (at Vcb=-2V : 0.9 pF) Emitter Cap. at Veb=0.5V: typ 1.2 pF C12e = 0.45 pF Max. Power Gain at Vce=10V, Ic=14mA, f=500MHz : typ 18 dB Noise Figure at Vce=10V, Ic=2mA, f=500MHz : typ 2.4 dB ___________________________________________
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BFR591 NPN wideband transistor.
From a PRELIMINARY SPECIFICATION, Philips, Mai 1992:
The long pin is the collector, opposite: base,
the other pins: 2x emitter.
Absolute Maximum Ratings:
Vcbo = 20 V
Vebo = 15 V
Ic = 200 mA
Ptot = 1.2 W
Tj = 175 grdC.
Thermal Resistance Junction to soldering point : max 55 K/W
Characteristics :
DC current gain at Vce=10V, Ic=90mA : min 60, typ 120, max 250
Feedback Capacitance at Vce=10V,Ic=0,f=1MHz : typ 0.7 pF
Transition Frequency at Vce=10V, Ic=90mA : typ 8 GHz
Maximum unilateral power gain
at Vce=10V, Ic=90mA, f=900MHz : typ 15 dB
Insertion Power Gain at the same conds.: min 12 dB, typ 13 dB
Output Power at 1 dB gain compression
at the same conds.: typ 25 dBm
The preliminary datasheet has no diagrams.
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BFT91 UHF Class B or Class C Power Transistor. Absolute Maximum Ratings: Vcbo = 60 V Vceo = 30 V Vebo = 4 V Ic = 0.35 A Ic peak at f>2MHz : 1 A P tot at 50 grdC.: 4 W Junction Temp.: 200 grdC. Storage Temp.:-55 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 35 grdC./W Characteristics at 25 grdC.: Vce(sat) at Ic=0.35A, Ib=0.1 A : max 1.5 V DC Current Gain at Vce=5V, Ic=50mA : min 20, max 200 Transit Frequ.: 1000 MHz ( Max of fT at Ic=80mA ) Coll. Base Capacit. at Vcb=28V, f=1MHz : max 4 pF Outut Power at Vce=23V, f=470MHz, Pin=50mW : 600 mW at Vce=28V, f=470MHz, Pin=125mW : 1.5 W ___________________________________________
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BFW92 is a very old UHF-Transistor I have a datasheet from 1969 by VALVO = PHILIPS. The long File is the Collector, opposite is Base, in the middle Emitter. Absolute maximum ratings: Vcbo = 25V Vceo = 15V Vebo = 2.5 V Ic average = 25mA Ic peak = 50mA Ptot = 130 mW Junction Temperature = 125 grdC Thermal Resistance Junction to Case: max 0,4 grdC/W Specifications: DC current gain at Ic=2mA: B = 20 to 150 at Ic=25mA: B = min 20 Transit-frequency at Ic=2mA: f T = typ 1 GHz Collector Capacity at Vcb=10V: 0.7 pF Emitter Capacity at Veb=0.5V: 1.5 pF Reverse Capacity at Vce=5V: 0.6 pF Noise Figure at Vce=5V,Ic=2mA,Rg=50Ohm,f=500MHz: F = typ 4dB Power Gain at Vce=10V,Ic=10mA, f=200MHz: typ 23 dB at 800MHz: typ 11 dB In the 1970s I was often using this type because it was a good grounded-emitter amplifier with tuned circuits. In contrast to it, broadband-types as the BFR90 to BFR96 having much better specifications are very critical in tuned amplifiers. ___________________________________________
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BLU98 UHF Power Transistor From a VALVO datasheet 1985 The long pin is the collector, opposite base, the other are emitter pins. Absolute Maximum Ratings: Vcbo = 36 V Vceo = 16 V Vebo = 3 V Ic = 150 mA Ic peak, f>1MHz : 500 mA Ptot at collector tab = 25 grdC.: 1.65 W at T amb = 25 grdC.: 1 W Tj = 175 grdC. Tstg = -65 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Coll.tab : 60 grdC./W Characteristics : DC Current Gain at Ic=100 mA, Vce=10V : min 25 from a diagram: for 100mA to 400mA : typ 90 Transition Frequency at Vcb=12.5V, -Ie=100mA (pulsed), f=500MHz: typ 4 GHz from a diagram: at 400mA : 2.5 GHz Collector Capacitance at Vcb=12.5V, Ie=0, f=1MHz : typ 2.1 pF Feed Back Cap. at Vce=12.5V, Ic=0, f=1MHz : typ 1.3 pF Typical application: CW operation, common emitter, class B, Vce = 12.5V, f=900MHz: Pl = 0.5 W Ps = typ 0.056 W, max 0.079 W Gp = typ 9.5, min 8 dB Ic= typ 62 mA, max 80 mA Efficiency = typ 65 %, min 50 % ___________________________________________
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BLW95: Maximum Ratings: Vces (peak at Vbe=0)= 110 V Vceo (base open) = 53 V Vebo = 4 V Ic average = 8 A Ic peak f > 1 MHz: 20 A Ptot = 245 W Tj = 200 grdC. Tstg = -65 to 150 grdC. Thermal Resistance junction to mounting base: 1 grdC./W Characteristics: DC Current Gain at Ic=4A, Vce=5V: min 15, typ 30, max 50 Vce(sat) at Ic=12.5A, Ib=2.5A : typ 2.2 V Transition Frequency at -Ie=4A, Vcb=40V, f=100MHz: typ 270MHz at -Ie=12.5A, Vcb=40V, f=100MHz : typ 285 MHz Collector Cap. at Vcb=50V, Ie=0: typ 185pF Feedback Cap. at Ic=150mA, Vce=50V: typ 115 pF Collector Flange Cap.: typ 3 pF RF performance in SSB operation , class AB , Vce=50 V, 25 grdC.: f1 = 28 MHz, f2 = 28,001 MHz Pout = 20 to 160 W P.E.P. Ic (ZS) = 0.1 A Gp > 14 dB effic. at 160W PEP > 40 % Ic (A) at 160W PEP : <4A d3 < -30 dB d5 < -30 dB Ruggedness: The BLW95 is capable of withstanding full load mismatch (VSWR=50) up to 150 W PEP under the following conditions: Vce=45V, f=28MHz, Th=70grdC., Rth=0.2K/W The 8-page datasheet has many diagrams. ___________________________________________
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BLX66 UHF class B and C NPN power transistor
X - Plastic Case without stud:
Dot for collector identification, base opposite.
Absolute Maximum Ratings :
Vcbo = 36 V
Vces at Rbe=0 : 36 V
Vceo = 18 V
Vebo = 4 V
Ic = 700 mA
Ic ( peak) at f>1MHz : 2 A
P tot at f>10MHz, VSWR<3 : 4 W up to 90grdC.,
above 90grdC. derating to 2.8 W at 125 grdC.
short time operation (VSWR>3): 7.5 W up to 60 grdC.,
above 60 grdC. derating to 5 W at 125 grdC.
Junction Temp.: 150 grdC.
Storage Temp.: -65 to 150 grdC.
Thermal Resistance Junction to Case : max 12 grdC./W
Characteristics:
Collector Emitter Saturation Voltage
at Ic=100mA, Ib=20mA : typ 0.1 V
DC Current Gain at Ic=100 mA, Vce=5V : min 10, typ 40
Transition Frequency
at Ic=200mA, Vce=5V, f=500MHz : typ 1400 MHz
Collector Capacitance
at Ie=0, Vcb=10V, f=1MHz : typ 6.5 pF, max 9 pF
Feedback Capacitance at Ic=20 mA, Vce = 10 V : typ 4.8 pF
Collector Stud Capacitance : typ 2 pF
Unneutralized common emitter class B c.w. operation:
f = 470 MHz
Vcc = 13.8 V
Ps : typ 0.28 W
Pload = 2.5 W
Ic : typ 240 mA
Gp : typ 9.5 dB
Efficiency typ 75 %
Zi = 2.6 Ohm + j 4.8 Ohm
YL = 23 mS - j 23 mS
The 8- pages datasheet contains diagrams and applications
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BLX69-A From an 8-page datasheet by VALVO 1986. Maximum Ratings: Vcbo = 36 V Vceo = 18 V Vebo = 4 V Ic average = 3.5 A Ic peak f>1MHz = 10 A P tot = 50 W Storage and Junction Temperature: -65 to 200 grdC: Thermal Resistance junction to mounting base = 2.9 grdC./W Characteristics: DC Current Gain at Ic=1A, Vce=5V : min 10, typ 30 Transition Frequency at Ic=2A, Vce=10V : typ 1000 MHz Collector Capacitance at Ie=0, Vcb=15V : typ 55 pF, max 70 pF Feedback Capacitance at Ic=100mA, Vce=15V : typ 32 pF Collector Stud Cap. typ 2 pF From a diagram: Pin > Pout at Vcc=13.5V, f=470 MHz: 3W > 10W, 5W > 15W, 7W > 20W From an other diagram: Frequency > Power Gain at Vcc=13.5V, Pout = 20W, Class B : 100MHz > 16dB, 140MHz > 11db, 500MHz > 4 dB. The datasheet has input and load impedance diagrams. ___________________________________________
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BLX94 A or C ( A = plastic, C = ceramic) Maximum Ratings: Vces = 65 V Vceo = 30 V Vebo = 4 V Ic average = 2.5 A Ic peak f > 1 MHz: 6 A Ptot = 60 W Junction Temp.: 200 grdC. Storage Temp.: A-type: -65 to 200grdC, C-Type: -65 to 150 grdC. Second Breadown Limit: at 25 grdC,: 2.5A until Vce=18V, derating above 18V to 0.5A at 30V. at 70 grdC.: 2.5A until Vce=10V, derating above 10V to 1.2A at 22V, between 22V and 30V as above at 25grdC. Thermal Resistance junction to mounting base: 4 grdC./W Characteristics: DC Current Gain at Ic=1.5A, Vce=5V: min 15, typ 50 Coll. Emitter Saturation Voltage at Ic=4A, Ib=0.8A : typ 1.5 V Transition Frequency at -Ie=1.5A, Vcb=28V, f=500MHz : typ 1100MHz at -Ie=4A :typ 750MHz Collector Cap. at Vcb=28V: typ 33pF Feedback Cap. at Ic=20mA, Vce=28V: typ 18 pF Collector Stud Cap.: typ 1.2 pF RF performance in C.W. operation , class B , Vce=28 V, 25 grdC., f = 470 MHz : BLX94 A : Pin = typ 5.6 W, max 6.25 W Pout = 25 W Ic = typ 1.49 A, max 1.62 A Gp = min 6 dB, typ 6.5 dB effic. = min 55 %, typ 60 % Zi = 0.9 Ohm + j 4.1 Ohm ZL = 6.6 Ohm + j 6.4 Ohm BLX94 C : Pin = typ 4.7 W, max 5.6 W Pout = 25 W Ic = typ 1.54 A, max 1.62 A Gp = min 6.5 dB, typ 7.25 dB effic. = min 55 %, typ 58 % Zi = 0.7 Ohm + j 2.6 Ohm ZL = 5.8 Ohm + j 6.3 Ohm ___________________________________________
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BLY53A From a datasheet in german language by VALVO 1971: The Collector has the Dot on the plastic top, the Base is opposite. Absolute maximum ratings: Vcbo = 36V Vceo = 18V Vebo = 4 V Ic = 1 A Ic peak at f>1MHz = 4A Ptot at f>10MHz,T<=90grdC : Ptot= 8 W for short time and T<70 grdC: 20 W Temp = -65 to 150 grdC Characteristics: DC Current Gain at Vce=5V,Ic=0.5A : B = min 10, typ 40; Vce sat at Ic=0.5 A, Ib=0,1A : typ 0.2V; f T at Vce=5V,Ic=0.5A, f=100MHz : typ 800MHz; Collector Cap. at Vcb=10V, Ie=0 : typ 14pF, max 20pF; Emitter Cap. at Veb=0V, Ic=0 : typ 65pF Cap. Collector to Case: typ 2 pF Application: Class-B FM tuned Power Amplifier for 470MHz: At Vce=12.5V, Pin = 2.2W : Pout > 7W Zin = 2.3 + j 6.3 Ohm Yload = 50 - j 36 mS Class-B FM tuned Power Ampl. for 175MHz: At Vce=13.8V, Pin=0.4W : Pout = 8.3W ___________________________________________
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BLY84 VHF Pover Transistor manufactured by VALVO=PHILIPS, 1981 or before Absolute Maximum Ratings: Vce = 40 V Vceo = 20 V Vebo = 4 V Ic = 2.5 A Ic (peak, at f>=1MHz) = 7.5 A Total Power Dissip. at Tcase = 25grdC = 12 W Junction Temperature max 150 grdC. Storage Temp.: -65 ... 150 grdC. Characteristics: DC Current Gain hfe : min 10, typ 60 Transition Frequency at f=100MHz, Ic=1A, Vce=5V : fT min 250MHz, typ 450MHz Collector Capacitance at f=1MHz, Ie=0, Vcb=10V : typ 37 pF, max 45 pF Input Capacitance at f=1MHz, Ic=0, Veb=0V : min 100 pF, typ 155 pF Application 175MHz, Vc = 13.8V: Input Power 3.4 W, Output Power 13.2 W, Gp = 5.8 dB, Efficiency typ 79 %. ___________________________________________
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BLY85 VHF Pover Transistor manufactured by VALVO=PHILIPS, 1980 or before Absolute Maximum Ratings: Vce = 40V Vceo = 20V Vebo = 4V Ic = 1A Ic (peak, at f>=1MHz) = 3A Total Power Dissip. at Tcase = 25grdC = 8W Junction Temperature max 150 grdC Thermal Resistance Junction to mounting base = 12.5 grdC/W Characteristics: DC Current Gain hfe > 10 Transition Frequency at f=100MHz,Ic=200mA,Vce=5V : fT > 250MHz Collector Capacitance at Vcb=10V : Cc < 15 pF Input Capacit. Veb=0V : Ce = 45 to 90 pF Application 175MHz, Vc = 13.8V, Ic = 480 mA : Input Power 0.4 W, Output Power 4 W, Gp > 10dB, Efficiency > 60%. From the Diagram: Limiting output power 6W with 0.8W input. ___________________________________________
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BLY93 A or C Maximum Ratings: Vces = 65 V Vceo = 36 V Vebo = 4 V Ic average = 3 A Ic peak f > 1 MHz: 9 A Ptot = 70 W (Type BLY93 C : RF Power dissipation max 70W, derate by 0.38W/grdC. ; Short time operation during mismatch: 80W until 45grdC., 60W at 100grdC.) Thermal Resistance junction to mounting base: 2.5 grdC./W (For the C-type more complexe spec.) Characteristics: DC Current Gain at Ic=1A, Vce=5V: min 10, typ 50, max 100 Transition Frequency at Ic=3A, Vce=20V: typ 500MHz (C-type : 650MHz) Collector Cap. at Vce=30V: typ 50pF, max 65pF Feedback Cap. at Ic=100mA, Vce=30V: typ 31 pF (C-type typ 28V) Collector Stud Cap.: typ 2 pF RF performance in C.W. operation , class B , Vcc=28 V, 25 grdC.: f = 175 MHz Pin = max 3.1 W Pout = 25 W Ic < 1.5 A Gp > 9 dB effic. > 60 % Zi = 1 Ohm + j 1.2 Ohm Yl = 58.8 mS - j 53.8 mS ___________________________________________
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BLY94 Maximum Ratings: Vces = 65 V Vceo = 36 V Vebo = 4 V Ic average = 6 A Ic peak f > 1 MHz: 12 A Ptot = 130 W Junction Temp.: 200 grdC. Storage Temp.: -65 to 200 grdC. Thermal Resistance junction to mounting base: 1.35 grdC./W Characteristics: DC Current Gain at Ic=1A, Vce=5V: min 10, typ 50, max 120 Transition Frequency at Ic=6A, Vce=20V: typ 500MHz Collector Cap. at Vce=30V, f=1MHz : typ 75 pF, max 130 pF Feedback Cap. at Ic=100mA, Vcb=30V : typ 47 pF Collector Stud Cap.: typ 3.5 pF RF performance in C.W. operation , class B , Vcc=28 V, 25 grdC.: f = 175 MHz Pin = max 10 W Pout = 50 W Ic < 2.75 A Gp > 7 dB effic. > 65 % Zi = 0.8 Ohm + j 1.45 Ohm YL = 125 mS - j 66 mS ___________________________________________
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BPF31 Silicon Photodiode for Fibre Optic Communication From a PHILIPS (VALVO) datasheet 1986: Metal case, Pins: Bottom View, clockwise, beginning near the nose: Anode - Cathode - Case Absolute Maximum Ratings : Vr = 50 V Ptot = 100 mW Max permissible radiant Power onto the device : 3 mW Tamb = -40 to 100 grdC. Tstg = -55 to 125 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 150 K/W Characteristics : Sensitivity at Vr=15V, lambda=850nm : min 0.55 A/W Wavelength at peak response : lambda = 850 nm Reverse dark current at Vr=15V : max 5 nA Vf at If=10mA : typ 0.7 V Cut off frequency at Vr=15V, radiant power= 100 uW : min 120MHz, typ 150 MHz Capacitance at Vr=15V, radiant power=0, f=1MHz : max 3.5 pF Optical Angle at half sensitivity : min 110 deg ( +/-55 deg) Sensitivity Area on flat window : typ 0.8 square-mm From a diagram : Frequency response: Peak at 30MHz with +0.5dB over the value at 1MHz; 0dB at50MHz; -4dB at 200MHz. ___________________________________________
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BPW20 Silizium PN Planar Fotoelement/ Fotodiode von TELEFUNKEN Kathode am Gehäuse, Anode isoliert bei der Nase. Planfenster Streng logarithmischer Zusammenhang zwischen Leerlaufspannung und Beleuchtungsstärke von 0.01 bis 100000 lx im Fotoelementbetrieb. Streng linearer Zus. zw. Kurzschlußstrom und lx- Bereich wie oben im Footoelementbetrieb. Kein Lichtgedächtnis, kein Vorbelichtungsfaktor. Grenzwerte: Sperrspannung 10 V Tamb = -25 ... 100 grdC. Wärmewiderstand Sperrschicht - Umbebung max 250 K/W Kenngrößen: Max Empfindlichkeit bei 700 nM 50%- Bereich der spektralen Empf.: 400 ... 950 nm Vom Diagramm: 20% bei ca.300 nm und 980 nm Öffnungswinkel vom Diagramm: 90% bei +/-20 Grad, 50% bei +/-50 Grad, 10% bei +/-70 Grad Fotoelement- Betrieb: Leerlaufspannung, EA=1klx : min 330 mV, typ 430 mV Kurzschlußstrom, EA=1klx, Rl=100 Ohm : min 20 uA, typ 33 uA Schaltzeiten, Iph=100uA,Rl=1kOhm : Rise= Fall= typ 3.5 us Fotodioden- Betrieb: Dunkelsperrstrom, Ur=5V : typ 2 nA, max 30 nA Hellstrom, EA=1klx, Ur=5V : min 20 uA, typ 33 uA Sperrschichtkapazität, Ur=5V : typ 400 pF Ich glaube, das war eine der größten Fotoelemente im hermetischen Gehäuse, schon fast für Stromversorgungszwecke einsetzbar. _______________________________________
Alle Angaben ohne Garantie. Fehler beim Abschreiben sind möglich. Wenn Sie seltsame Werte entdecken, scheuen Sie sich nicht, per email nachzufragen!
BPX60 Silicon Planar Fotodiode From a 5-page SIEMENS datasheet (german language) Metal Case : Anode near the nose. Radiation sensitive area : 2.75 mm x 2.75 mm. Maximum Ratings : Vr = 32 V Ptot = 325 mW Tj = Tstg = -40... 100 GrdC. Thermal Resistance Junction to Case : typ 80 K/W Characteristics : Dark Current at Vr=10V : typ 7 nA, max 300 nA Sensitivity : min 35, typ 50 nA/lx Wavelength of max. sensitivity : 850 nm Spectral sensitivity at 850nm : typ 0.5 A/W Open Loop Voltage at 100 lx : min 270 mV, typ 360 mV at 1000 lx : typ 460 mV Short Circuit Current at 100 lx : min 3.5 uA, typ 5 uA Rise Time and Fall Time (10%/90%) at 950nm, RL=1 kOhm : at Vr=0 : typ 2.5 us at Vr=10V : typ 1 us Capacitance at 0 lx, f=1MHz: at Vr=0 : typ 750 pF at Vr=10V : typ 220 pF From a diagram Spectral Sensitivity vs. Wavelength: 10% at 400nm, 40% at 500nm, 80% at 650nm, 100% at 820nm, 47% at 1000nm ___________________________________________
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BPY47P Fotoelement
Max 20 x 10 mm, also 1,8 cm2 aktive Fläche
rot = Anode
Von einem Siemens- Datenblatt:
Grenzwerte:
Ur = 1 V
Tu = -55 ... 100 grdC.
Kennwerte bei 25 grdC.:
Fotoempfindlichkeit: Kurzschlussstrom, Normlicht 2856K :
min 0.9, typ 1.4 uA/lx
Wellenlänge der max.Fotoempfindlichkeit: 850 nM
Quantenausbeute bei 850nM : 0.8 Elektronen/Photon
Spektrale Fotoempfindlichkeit bei 850nM : 0.55 A/W
Leerlaufspannung bei 100 lx : min 150 mV, typ 300 mV
bei 1000 lx : min 280 mV, typ 410 mV
bei 10 000 lx : min 450 mV
Kurzschlussstrom bei 10 000 lx : typ 13 mA
TK von Ul : -2.6 mV/K
TK von Ik : 0.2% /K
Kapazität bei Ur=0V : typ 16 nF (sinkt auf 10nF bei 1 V)
Dunkelstrom bei Ur=1V : typ 25 uA , bei 50grdC. 70uA
Die typische Empfindlichkeitskurve ist oben relativ breit, dann steiler
Abfall zu 10% bei 420nm und 1060nm.
Die Richtcharacteristik ist eine Kugel.
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BPY61 NPN Fototransistor Red point near Collector, Base without pin. Maximum Ratings: Uceo = 50 V Uebo = 7 V Ic = 60 mA Ptot = 70 mW Tj = Tstg = -55 ... 125 grdC. Characteristics: Dark Current at Uce=25V, E=0: typ 5 nA, max 100 nA Uce(sat) bei Ev=1000 lx , Ic=0.25 mA : typ 0.2 V Wavelength for S > 0.1 x Smax: 440...1070 nm Max sensitivity near 850 nm Rise Time, Fall Time 10%/90%, R Load =1 kOhm : typ 5 us, max 10us Capacitance at Uce=0, E=0 : typ 6 pF Deviation for half sensitivity: +/- 10° Sensitive area: typ 0.17 sqare mm For Uce=5V, 1000 lx : Group: I II III IV Current(mA): 0.8-1.6; 1.25-2.5; 2 - 4; 3.2 - 6.3 For E = 20mW / square cm : Current(mA):3.2-6.3 ; 5 - 10; 9 - 18; 14 - 28 ___________________________________________
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BPY78
Der hat wahrscheinlich Sammlerwert, oder wird es einmal haben, wenn
die Leute merken, daß auch sowas sammelnswert ist. Es ist nämlich
kein Fototransistor, sondern einer der ersten Fotothyristoren, und
zwar von BENTRON 1970.
Anschlüsse, ich denke von unten gesehen, im Uhrzeigersinn:
Nase, Kathode, Gate, Anode, Anodengate.
Grenzwerte:
Periodische Spitzensperrspannung positiv U DRL = 40 V
negativ U RRL = 40 V
Dauergrenzstrom bei Tg=65 grdC. : 300 mA
Periodischer Spitzenstrom bei Tg=65 grdC.: 2 A
Gesamtverlustleistung bei Tu = 45 grdC.: 210 mW
Tjunction = 150 grdC.
Tstorage = -55 ... 200 grdC.
Wärmewiderstand zur Umgebung : 500 grdC./W
Kennwerte bei 25 grdC. :
Nennstrom 100 mA
Negativer Sperrstrom bei Udr=40V, Rgk = 27 kOhm : max 1 uA
bei Urr=40V, Rgk = 27 kOhm : max 1 uA
Zündstrom Kathodengate bei
Ud=15V, Rl=1 kOhm, Rgk=unendlich, E=0 : max 20 uA
Haltestrom bei Rgk=27kOhm : Ih =< 2 mA
Durchlaßspannung bei If=10mA : max 1 V
bei If=200 mA : max 2 V
Beleuchtungsstärke bei Udr=40V, Rl=1 kOhm, Rgk=27 kOhm :
E T = 1000 lx
(Glühlampe, Farbtemperatur 2850 grdK)
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BSD214 Symmetrical N-Ch.MOSFET in TO72-Case for Chopper (Datasheet from VALVO 5.1984) Attention: Gate without protection diodes (BSD215 with diodes). Pins: Bottom view clockwise from the nose: S D G Base/Case/Substrat Absolute Maximum Ratings: Uds = 20V Ugs = 40V Id = 50mA Ptot = 275 mW Characteristics: Gate Source off Voltage at Is=1uA, Usb=0, Uds=Ugs : Ugs = 0,1....2 V Forward Transconductance at Uds=10V, Usb=0, Id=20mA, f=1kHz : y21s : min 10mS , typ. 15 mS On Resistance at Id=1mA, Usb=0 : at Ugs=5V : rds on = typ 50 Ohm, max 70 Ohm at Ugs=10V : rds on = typ 30 Ohm, max 45 Ohm at Ugs=25V : rds on = typ 15 Ohm Capacitances at Uds=10V,Ugs=Ubs=-15V, f=1MHz: Cin = 2,3 pF Cout= 1,9 pF Cr = 0,6 pF Times at Ub=10V, R (Drain to Load) 630 Ohm, R load=50 Ohm, Rgen = 50 Ohm: t on = 1ns t off= 5ns ___________________________________________
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BSD215 Symmetrical N-Ch.MOSFET in TO72-Case for Chopper. Translated from datasheet: VALVO 5.1984 , german language. Pins: Bottom view clockwise beginning from the nose: S D G Base(= case = substrate = protection-diodes to the gate) Absolute Maximum Ratings: Uds max = 20V Ugs max = 15V Id max = 50mA Ptot max = 275 mW Tj = 125 grdC. Tstg = -65 to 175 grdC. Characteristics: Gate Source off Voltage at Is=1uA, Usb=0, Uds=Ugs : Ugs = 0,1....2 V Forward Transconductance at Uds=10V, Usb=0, Id=20mA, f=1kHz : y21s : min 10mS , typ. 15 mS On Resistance at Id=1mA, Usb=0 : at Ugs=5V : rds on = typ 50 Ohm, max 70 Ohm at Ugs=10V : rds on = typ 30 Ohm, max 45 Ohm at Ugs=25V : rds on = typ 15 Ohm Capacitances at Uds=10V,Ugs=Ubs=-15V, f=1MHz: Cin = 2,3 pF Cout= 1,9 pF C reverse = 0,6 pF Times at Ub=10V, R (Drain to Load) 630 Ohm, R load=50 Ohm, Rgen = 50 Ohm: t on = 1ns t off= 5ns ___________________________________________
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BSP230 P-channel enhancement vertical D-MOS transistor
from the databook Philips 1999
SOT223
_D_
_|___|_
| |
|_______|
| | |
G D S
Absolute Maximum Ratings:
Vds = -300 V
Vgso = +/- 20 V
Id = -210 mA
Id peak = -750 mA
Ptot = 1.5 W
Tstg = Tj = -65 to 150 grdC.
Thermal Resistance Junction to Ambient on printed circuit board
40x40x1.5 mm, for drain min 6 cm2 : 83 K/W
Characteristics:
Gate Source Threshold Voltage atVds=Vgs, Id=-1mA : min -1.95 V, max 2.8 V
Idss at Vds = -240 V : max -100nA
Igss at Vgs=+/- 20V : max +/- 100 nA
Rds(on) at Vgs=-10V, Id=170mA : max 17 Ohm
Forward Transfer Admittance at Vds=-25V, Id=170mA : min 100 mS
Capacitances at Vgs=0, Vds=-25V, f=1MHz :
Input : typ 60 pF, max 90 pF
Output: typ 15 pF, max 30 pF
Reverse Transfer: typ 5 pF, max 15pF
Times at Vgs=0V/-10V, Vdd=-50V,Id=-250mA,Rgs=50 Ohm:
Turn on : typ 5 ns, max 10 ns
Turn off: typ 15 ns, max 30 ns
___________________________________________
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BSS135 N- channel depletion mode MOSFET from a SIEMENS datasheet Bottom View: _______ | G D S | \_____/ Maximum Ratings : Vds = 600 V Vdgr at Rgs=20kOhm : 600 V Vgs = +/- 14 V Vgs peak aperiodic : +/- 20 V Id = 80 mA Id pulsed = 240 mA Ptot = 1 W Tj = Tstg = -55 to 150 grdC. Characteristics : Gate Threshold Voltage at Vds=3V, Id=1mA : min -1.8 V, typ -1.5V, max -0.7 V Drain Source ON Resistance at Vgs=0, Id=10mA : typ 40 Ohm, max 60 Ohm Forward Transconductance at Id=10mA : min 10 mS, typ 40 mS Capacitances at Vgs=-3V,Vds=25V, f=1MHz : Input : max 150 pF Output : max 12 pF Reverse Transfer : max 5 pF Times at Vdd=30V, Vgs=-3V..+5V, Rgs=50 Ohm, Id=200mA : ON delay : max 6 ns Rise : max 15 ns OFF delay : max 20 ns Fall : max 30 ns Reverse Diode forward Voltage at If=160mA,Vgs=0 : typ 0.8 V, max 1.3 V ___________________________________________
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BSS229 SIPMOS N-Channel depletion MOSFET TO92 package, Pins Gate - Drain - Source Maximum Ratings: Vds = 250 V Vdg = 250 V Vgs = +/- 14 V, peak +/- 20 V Id = 70 mA, pulsed 210 mA Ptot = 630 mW Top = Tstg = -55 ... 150 grdC. Characteristics: Gate Source Threshold Voltage at Vds=3V, Id=1mA : min -1.8V, typ -1.4V, max -0.7V 1) Drain Source On Resistance at Vgs=0,Id=14mA : typ 75 Ohm, max 100 Ohm Forward Transconductance at Id=70 mA : min 0.05 S, typ 0.1 S Capacitances at Vgs=0, Vds=25V, 1MHz: Input : typ 85 pF, max 120 pF Output: typ 6 pF, max 10 pF Reverse Transfer: typ 2 pF, max 3 pF Times at Vdd=30V, Vgs=-2...+5V, Rgs=50 Ohm, Id=150mA : Turn On delay : max 6 ns Rise : max 15 ns Turn Off delay: max 13 ns Fall : max 20 ns Reverse Diode Vf at If=140mA : typ 0.8 V, max 1.2 V ___________________________________________
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BSS95 N- Channel MOSFET TO202 case Pinning : Source Drain Gate Maximum Ratings : Vds = 200 V Vdg with Rgs=20 kOhm : 200 V Vgs = +/- 20 V Id = 800 mA Id pulse = 3,2 A Pd = 8.3 W Tj = Tstg = -55 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 15 grdC./W Characteristics at 25 grdC.: Vgs treshold at Id=1mA, Vds=Vgs : min 0.8 V, typ 2.2 V, max 2.8 V Idss at Vds=200V, Vgs=0 : typ 4 uA, max 60 uA ( at 125 grdC.: max 200uA) Rds on at Vgs=10V, Id=400mA : typ 5.5 Ohm, max 6 Ohm g fs at Vds=25V,Id=400mA : min 0.14 S, typ 0.2 S Capacitances at Vds=25V, Vgs=0, f=1MHz : Input : typ 110 pF Output : typ 20 pF Reverse : typ 5 pF Times at Vcc=30V, Id=280 mA, Vgs=10V, Rgs=50 Ohm : On delay : typ 15 ns, max 20 ns Rise : typ 40 ns, max 60 ns Off delay : typ 70 ns, max 90 ns Fall : typ 40 ns, max 55 ns Antiparallel Diode: Idr = max 800 mA Idr pulsed = max 3.2 A Forward Voltage at If=1.6A, Vgs=0 : typ 1.4 V, max 1.8 V ( Reverse Recovery Time : not specified) ___________________________________________
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BSV81 N- Channel depletion MOSFET, Chopper
TO 72- Gehäuse: Bottom view, clockwise:
Nose, D, S, G, Substrat = case.
Absolute Maximum Ratings:
Drain Substrate Voltage : 30 V
Source Substrate Voltage : 30 V
Gate Substrate Voltage : +/- 10 V
Vgd = Vgs = +/- 15 V (peak, f >= 100 Hz )
peak, t<=10ms : +/- 50 V
Id = Is = 50 mA peak
Ptot = 200 mW
Tj = 125 grdC.
Tstg = -65 to 125 grdC.
Thermal Resistance Junction to Ambient : max 0.5 grdC./mW
Characteristics at 25 grdC., Substrate connected to Source:
Drain Source ON Resistance at Vgs=0, Vds=0, f=1kHz : max 100 Ohm
at 125 grdC.: max 150 Ohm
at Vgs=5V : max 50 Ohm
Drain Source OFF Resistance at Vgs=-5V, Vds=10V : min 10 GOhm
Reverse Transfer Capacitance at Vgs=-5V, Vds=0, f=1MHz : max 0.5 pF
at Vgd = -5V, Vsd = 0 : max 1.2 pF
Gate Capacitance to all other pins
at Vgs=-5V, f=1MHz : max 5 pF
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BSW17 NPN 5 Transistor Array
Der BSW17 von SGS sieht wie ein IC aus, ist aber nur ein
Array von 5 NPN Silizium Transistoren.
Pins:
1 : B1
2 : C1
3 : C2
4 : C3
5 : C4
6 : C5
7
8
9 : common Emitter
10: B5
11: B4
space
space
12: B3
13: B2
14 = 9 = common Emitter
case similar to 16- pin plastic Dual-In-Line
Maximum Ratings:
Vcbo : 120 V
Vceo : 120 V
Vebo : 5 V
Ic : 100 mA
Ptot : 300 mW for single transistor
500 mW for the total case
Tj = Tstg = -55... 125 grdC.
Characteristics at 25 grdC.:
Icbo at Vcb=75 V : max 100 nA
at 125 grdC.: max 100 uA
Iebo at Veb=3V : max 100 nA
Transit frequency at Vce=10V, Ic=10mA, f=20MHz: min 40 MHz
DC Current Gain at Vce=10V, Ic=30mA : min 30, max 129
Vce(sat) at Ic=10mA, Ib=1mA : max 0.6 V
Vbe(sat) at Ic=10mA, Ib=1mA : max 0.8 V
Collector Base Capacitance at Vcb=20V,Ie=0, f=1MHz : max 3.5 pF
Emitter Base Cap. at Veb=0.5V, Ic=0, f=1MHz : max 25 pF
_______________________________________
Alle Angaben ohne Garantie. Fehler beim Abschreiben sind möglich. Wenn Sie seltsame Werte entdecken, scheuen Sie sich nicht, per email nachzufragen!
BSW74 , PNP-epitaxie-planar in TO18, E-B-C Grenzwerte: Vcbo = -75 V Vceo = -40 V Vebo = -5 V Ic = -500mA Ptot = 400 mW Kennwerte: B bei Ic=-150mA : 40-120 Uce(sat) bei Ic=-150mA, Ib=-15mA : max 0,4 V Transitfrequ. bei Ic=-50mA und f=100MHz : min 150 MHz ________________________________________________________ BSW84 , NPN-epitaxie-planar in TO18, E-B-C Grenzwerte: Vcbo = 75 V Vceo = 40 V Vebo = 5 V Ic = 500mA Ptot = 400 mW Kennwerte: B bei Ic=150mA : 40-120 Uce(sat) bei Ic=150mA, Ib=15mA : max 0,4 V Transitfrequ. bei Ic=20mA und f=100MHz : min 200 MHz _______________________________________
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BSX59 NPN Transistor TO39 E B C=Case (as usual for most TO39 and TO5) Maximum Ratings : Vcbo = 70 V Vceo = 45 V Vebo = 5 V Ic = 1 A Ptot = 0.8 W Tj = 200 grdC. Tstg = -65 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 43 grdC./W Characteristics : Vce(sat) at Ic=150mA, Ib=15mA : max 0.3 V at Ic=1A, Ib=0.1A : max 1V Vbe(sat) at Ib=15mA : max 1V at Ib=0.1A : max 1.8 V DC Current Gain at Vce=1V, Ic=150mA : min 30, typ 70 at Vce=5V, Ic=1A (pulsed) : min 20, typ 40 Transit Frequency at Vce=10V, Ic=50mA : min 250MHz, typ 450 MHz Collerctor Capacitance at Vcb=10V, Ie=0, f=1MHz : typ 6 pF, max 10 pF Emitter Cap. at Veb=0.5V, Ic=0, f=1MHz: typ 36 pF, max 50 pF Times at Ic=500mA, Ib1=50mA, Ib2=-50mA, RL=100 Ohm: t (on) = typ 17 ns, max 35 ns t (off)= typ 45 ns, max 60 ns _________________________________________ BSX79 NPN Transistor TO18 E B C=Case Maximum Ratings : Vcbo = 50 V Vceo = 45 V Vebo = 5 V Ic = 100 mA Ic peak = 200mA Ptot = 375 mW Tj = 200 grdC. Tstg = -65 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 150 grdC./W Characteristics : Vce(sat) at Ic=10mA, Ib=0.3mA : max 0.2 V at Ic=50mA, Ib=1.65mA : max 0.3V Vbe(sat) at Ib=o.3mA : max 0.75V DC Current Gain at Vce=1V, Ic=10mA : BSX79A : min 100, max 300 BSX79B : min 250, max 750 Transit Frequency at Vce=10V, Ic=10mA, f=100MHz : min 200 MHz, Collerctor Base Capacitance at Vcb=10V, Ie=0, f=100 MHz : max 5 pF Times at Ic=10mA, Ib1=1mA, Ib2=-1mA, RL= 2kOhm: t (on) = max 150 ns t (off)= max 800 ns ___________________________________________
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BT128... Thyristor with antiparallel diode
for television horizontal deflection in TO66-case.
from a VALVO = PHILIPS datasheet 2.1973, in german language.
Absolute Maximum Ratings:
Forward:
Vdrm = 700V (BT128/700R)
Peak (T<=10ms) max 750V
Average: I av = max 3.2 A
RMS: max 5A
Peak = max 30A
Sinus 10ms (=1/2 wave) = max 50A
Reverse diode, the same amperes
Peak gate dissipation ( t = 10 us !) max 25 W
Junction temp. thyristor: 110 grd C
diode : 150 grd C
therm. resist. junction to case : 4 grd/W
Thyristor: at It=30A : Vt < 3V
Upper Gate ignit. volt. : Vgt = 4V
...current : Igt = 40mA
Critical dV/dt at -Vg>3V, Rg=62Ohm, 110grdC : 800V/us
... dI/dt : 60A/us
(recovery time ? ) at It=18A to Vr=0.8V : tq < 4,5 us.
Diode: at If=5A : Vf < 1.65 V
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BTR 1002 Triac in TO-5 metal case
Pins, bottom view, clockwise: Nose - A1 - Gate - A2
Maximum Ratings :
Ud : 200 V (Spitzensperrspannung)
I t eff : 3 A (Spitzenstrom für
Gehäusetemperatur = 75 grdC, Derating auf 0 A bei 100 grdC)
I t SM : 30A (Stossstrom für eine 60Hz- Sinushalbwelle)
Operating Temp.: 100 grdC.
( Keine Angaben der max. Verlustleistung. Wahrscheinlich die bei TO5
üblichen 1 W )
Characteristics:
I GT : max 10 mA (Zündstrom)
I H : max 15 mA ( Haltestrom)
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BTR1004 Triac Hersteller: BENTRON Gehäuse TO5 : Von unten im Uhrzeigersinn: Nase, A1, Gate, A2 Spitzensperrspannung 400 V Spitzenstrom, effectiv : 3 A oberhalb 75 grdC. derating auf 0 bei 100 grdC. Stoßstrom bei Widerstandsbelastung, 75 grdC. eine 60 Hz Sinuswelle : max 30 A 10 Zyclen : max 13 A 60 Zyclen : max 7 A Zündstrom: max 10 mA Haltestrom : max 15 mA _______________________________________
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BTW43-800H Triac from a 7- page VALVO datasheet in german language. 800 means the max. periodically peak voltage = 800 V H means a critical dV/dt = +/-10V/us at dI/dt=12 A/ms ( Typ G has the same value but specified for dI/dt=5A/ms) Case TO64: Long Pin = A1 Short Pin= G Cas = A2 Maximum Ratings : I average at 75 grdC.: 15 A periodically peak : 50 A for 1 periode : 120 A P gate average : 1 W P gate peak : 10 W P tot : ??? ___________________________________________
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BTX18 Thyristor im TO5 Gehäuse: Grenzwerte: Anode: Ur = Ud = 100 / 200 / 300 V je nach Typ (BTX18/100 usw.) Stoßspizensp. für max 10 ms : 120 / 240 / 350 V Spannungssteilheit : 10 V/us If = 1.6 A If RMS = 1.6 A Periodischer Spitzenstrom : 10 A Stoßstrom für 10 ms : 10 A Gate: positive Steuersp. : 10 V negative Steuersp. : 5 V Ig = 200 mA Steuerleistung : 50 mW Spitzen- Steuerleistung : 500 mW Tj = 125 grdC. Tstg = -55 bis 150 grdC. Kennwerte: Anode: Uf bei If = 1 A : max 1.5 V Haltestrom nach If=50mA : max 5 mA Durchschaltstrom max 10 mA Gate: obere Zündspannung : 2 V untere Zündspannung : 0.2 V ! 1) oberer Zündstrom : 5 mA Freiwerdezeit beim Abschalten nach If=300mA mit Irm=175mA : typ 35 us, max 60 us Von einem Diagramm: zulässige Verlustleistung = 2.5 W bis zu einer Gehäusetemperatur von 100 grdC, dann Derating auf 0 bei 125 grdC. 1) Diese alten Thyristoren hatten noch keinen internen Gate- Kathoden- Widerstand. Zusammen mit der kleinen Zündspannung waren sie sehr empfindlich gegen Störungen. _______________________________________
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BU2520 Family:
From the Philips databook Power Bipolar Transistots 1999
Different cased types:
BU2520AF, AW, AX
BU2520DF, DW, DX with internal antiparallel
Emitter-Collector Diode ( Vf=2.2V at If=6A) and
internal Base-Emitter Resistor, typ 50 Ohm.
Limiting Values:
Vcesm at Vbe=0 : 1500 V
Vceo : 800 V
Breakdown Vebo at Ib=1mA : min 7.5V
Ic : 10 A
Icm : 25 A
Ib : 6 A
Ibm : 9 A
Ptot : 45 W
Tj, Tstg : -65 ... 150 grdC.
Characteristics:
DC Current Gain at Ic=100mA, Vce=5V : typ 13
at Ic=6A : min 5, typ 7, max 9.5
Vce(sat) at Ic=6A, Ib=1.2A : max 5 V
Bve(sat) at Ic=6A, Ib=1.2A : max 1.1 V
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BU500 MOTOROLA HORIZONTAL DEFLECTION TRANSISTOR Maximum Ratings: Vce0(sus)= 700 V Vcb0 = 1500 V Veb0 = 5 V Continuous Current : 6 A peak (pw max 300us) : 16 A Base continuous : 4A Power Dissipation at 25 grdC. = 75 W Therm.Resist.Junction to Case max 1.66 C/W Characteristics: DC Current Gain at Ic=4.5A : min 3 C-E-Saturation Volt. at Ic=4.5A , Ib=2A : max 1 V Times at Ic=4.5A , Ib=1.5A: Storage : max 1.2 us Fall : max 1 us ___________________________________________
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BU911 NPN Power Darlington in TO 220 case SGS , 1980. Internal base to emitter resistances: Rb1e1 = 1.7 kOhm, Rb2e2 = 50 Ohm Absolute Maximum Ratings: Vces at Vbe=0 : 450 V Vceo at Ib=0 : 400 V Vebo : 5 V Ic : 6 A Ic peak : 10 A Ib : 1 A P tot at 25grdC: 60 W Junction Temp.: 150 grdC. Storage Temp. : -65 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 2.08 grdC./W Characteristics at 25 grdC.: Collector Emitter Saturation Voltage at Ic=2.5A, Ib=50mA : max 1.8 V at Ic=4A, Ib=200mA : max 1.8 V Base Emitter Saturation Voltage at the same conds.: max 2.2 V at Ic=4A, Ib=200mA : max 2.5 V Antiparallel Emitter Collector Diode: Forward Voltage at If=4A : max 2.5 V ___________________________________________
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BUF646/ BUF 646A Simple Switch Off Bipolar Power Transistor
I don't possess any full datasheet, only a preliminary
shortform by TELEFUNKEN electronic:
Features: 100 kHz switching rate possible
Optimized RBSOA
Competition: BUF 405, BUL45, SGS F321/ 341
(all unknown, not in my collection)
TO220 Case
Maximum Ratings:
Vceo = 400 V / 450 V
Vces = 800 V / 1000 V
Ic = 7 A
Icm = 14 A
Characteristics:
Vce(sat) at Ic=5A, Ib=1A : max 1.5 V
Times at inductive Load, Vbe(off) = 0 : (Comparision with BUT46A)
Storage Time: typ 2.2 us, max 2.5 us (BUT46A: max 2.5 us)
Fall Time : typ 0.2 us. max 0.3 us (BUT46A: max 0.8 us)
I think, the other characteristics, not listed in the shortform, are
similar or nearly by the predecessor BUT46, because it has the same
maximum ratings.
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BUP101 From a brief Siemens publication in german language containing the most important values. I try to translate: The BUP101 is a BIPOLAR ( not MOSFET ! ) Ring Emitter Transistor. On the chip there is an array of rings instead of an array of fingers. Emitters 5 um wide, base 3 um deep. The publication has a little illustration, a cut of the chip, but no other diagrams. The big plastic (TO3P) case has the normal Base- Collector - Emitter pins. Absolute maximum ratings : Vcbo = 1000 V Vcev ( sus ) at Vbe=-2.5V : 1000 V Vebo = 6.5 V Ic = 15 A Ic peak for max 5 us : 25 A Ic power-on impulse for max 0.5 us : 50 A Ib = 5 A Dtot = 90 W Tj = -55 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 1 grdC./W Characteristics at 25 grdC.: Vce(sat) at Ic=10A, Ib=2.5 A : typ 1 V at Ic=15A, Ib=4A : typ 5 V Vbe(sat) at Ic=10A, Ib=2.5 A : typ 1 V Veb (Base Emitter reverse) at Ib=0.01 mA : min 6.5V, typ 8V Times with inductive load (not specified exactly, sorry ) at Vcc=800 V, Ic=10A, Ib1= -Ib2= 2A: Turn off delay at 25 grdC : 1.5 us, at 125 grdC.: 3 us Fall : 0.05 us ! for both temperatures ! ___________________________________________
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BUS13, BUS13A Maximum Ratings : Vces at Vbe=0 : 850 V, BUS13A : 1000 V Vceo at Ib=0 : 400 V, BUS13A : 450 V Ic average : 15 A Ic peak max 2 ms : 30 A Ib average : 6 A Ib peak max 2 ms : 9 A Ptot at 25 grdC : 175 W Tj : 200 grdC. Tstg : -65 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 1 K/W Characteristics at 25 grdC.: Vce(sat) at Ic=10A, Ib=2A (BUS13A at Ic=8A, Ib=1.6A): max 1.5 V Vbe(sat at the same conds. : max 1.6 V Times at the same conds.: Turn on : max 1 us Storage : max 4 us Fall : max 0.8 us ( No declaration of the load resistance, only: non inductive) The SOA diagram is very complicated. Therefore , just for once, I have made a scan. ___________________________________________
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BUS48 NPN silicon power transistor, case TO 3 ( from a MOTOROLA datasheet) Maximum Ratings: Vceo(sus) = 400 V Vcev = 850 V Veb = 7 V Ic continuous = 15 A peak (pulse 5 ms) = 30 V Ib continuous = 5 A peak (pulse 5 ms) = 20 A Pd = 175 W at 25 grdC., 100 W at 100 grdC. Junction Temp. = 200 grdC. Op./Storage Temp: -65 70 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Case: max 1 grdC./W Characteristics at 25 grdC.: DC Current Gain at Ic=10A, Vce=5V : min 8 Collector Emitter Saturation Voltage at Ic=10A, Ib=2A : max 1.5 V at Ic=15A, Ib=3A : max 5 V Times at Vcc=250V, Ic=10A, Ib=2A, Vbe(off)=5V, Pulse = 30us, Duty Cycle max 2% : Delay : max 0.2 us Rise : max 0.7 us Storage: max 2 us Fall : max 0.4 us ___________________________________________
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BUT35
from an advance information
NPN Darlington with Emitter- Collector (2nd Transistor) antiparallel
Diode
AND Emitter- Base (first Transistor) Speedup Diode.
______.________.__o
| | |
o_.__|/ | |
| |\__.__|/ |
| | |\___._|\|_|
|__|/|_| | |/|
| |\| | |
| ____ | ____ |
--____-.-____--.
|
50 Ohm 8 Ohm o
Maximum Ratings:
Vceo = 700 V
Vces = 1000 V
Veb = 8 V
Ic = 40 A
Ic peak = 50 A
Ib = 10 A
Ib peak = 20 A
Total Power Dissipation at 25 grdC.: 250 W
Derate above 25 grdC.: 1.428 W / grdC.
Tj = Tstg = -65 to 200 grdC.
Thermal Resistance Junction to Case: max 0.7 grdC./W
(no charactristics available)
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BUT46
Maximum Ratings:
Vceo = 400 V
Vces = 800 V
Ic = 7 A
Icm = 14 A
Ib max = 2A, peak 4 A
Emitter Base Breakdown Voltage at Ie=1mA : min 7 V
Ptot = 75 W
DC Current Gain at Vce=5V, Ic=0.6A : typ 30
Vce(sat) at Ic=2.5A, Ib=0.5A : max 1.5 V
Vbe(sat) at Ic=2.5A, Ib=0.6A : max 1.3 V
Transit Frequency at Vce=10V, Ic=0.2A, f=1MHz : typ 10 MHz
Times at Vce=250V,Ic=3A,Ib=-Ib2 = 0.6A, ohmic load
Turn On: max 1 us
Turn off delay: max 4 us
Fall Time : max 0.8 us
Inductive Load (L perhaps 200uH or 3uH), Vce=300V,Ic=3A,
Vbe(off)= -5V, Ib(end)=0.6A:
Turn off delay: max 2 us ( max 2.5 us at 100 grdC.)
Fall Time : max 0.3 us ( max 0.4 us at 100 grdC.)
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BUT76/ BUT76A Silizium NPN Leistungstransistor TO 220 : Maximum Ratings: Vceo = 400 V (BUT76), 450 V (BUT76A) Vces = 850 V (BUT76),1000 V (BUT76A) Vebo = 7 V Ic = 20 A Ib = 6A Ibr = - 2A Ib average = 3 A Ptot = 110 W Tj = Tstg = -65 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 1.13 grdC./W Characteristics: DC Current Gain at Ic=8A, Vce=3V : min 3.2 Vce(sat) at Ic=5A, Ib=1A : max 1.5 V Vbe(sat) at Ic=5A, Ib=1A : max 1.6 V Transit Frequ. at Vce=10V, Ic=1A : typ 7 MHz ___________________________________________
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BUY46 Silizium Leistungstransistor Dieser Typ ist tatsächlich uralt! In meinem Datenblatt aus den 70er Jahren steht er schon als "nicht für Neuentwicklung" ! Grenzwerte: Uceo = 55V Ucev (Ube=-1,5V) = 90V Uebo = 7V Ic = 4A Ib = 2A Ptot = 31 W Kennwerte: Stromverstärkung bei Uce=1,5V,Ic=0,5A : BUY 46-4: B = 25 bis 63 BUY 46-6: B = 40 bis 100 Transitfrequenz bei Uce=2V,Ic=0,3A : 0,8 MHz _______________________________________
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BUZ17 Power MOSFET Siemens Das TO238AA Kunststoffgehäuse mit Metallflansch hat Messer( 6,3x0,8 mm ) für Flachsteckhülsen. Absolute Grenzdaten: Vds = 50V Vgs = +/-20 V Id = 32A (gepulst 125A) Pd = 83.3 W Junction Temp.: -40 ... 150 grdC. Wärmewiderst.:max 1.5 grdC./W Kenndaten: Rds on bei Id=22A, Vgs=10V : typ 0,035 Ohm, max 0,04 Ohm Übertragungssteilheit bei Vds=25V, Id=22A : min 7 S, typ 18 S Kapazitäten bei Vds=25V,Vgs=0V, 1MHz : Eingang : typ 1600 pF, max 2100 pF Ausgang : typ 1300 pF, max 2000 pF Rückw. : typ 500 pF, max 800 pF Zeiten bei Vcc=30V, Id=3A, Vgs=10V, Rgs=50 Ohm: On delay: typ 30 ns, max 45 ns Rise : typ 110 ns, max 170 ns Off delay : typ 330 ns, max 430 ns Fall: typ 250 ns, max 330 ns Inversdiode: Idr = max 32 A (gepulst max 125 A ) Durchlaßspannung bei 64 A : typ 1,4 V, max 2 V Sperrverzögerungszeit bei Idr=32 A, dIf/dt=100A/s : typ 150 ns _______________________________________
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BUZ311 N- Kanal Power MOSFET SIEMENS = INFINEON. Absolute Grenzdaten: Vds = 1000V Vdgr = 1000V ( Rgs = 20 kOhm) Vgs = +/-20 V Id = 2,3 A (gepulst 9 A) Pd = 75 W Junction Temp.: -55 ... 150 grdC. Wärmewiderst.:max 1.67 grdC./W Kenndaten: Gate Schwellenspannung für Id=1mA : min 2.1V, typ 3 V, max 4 V Rds on bei Id=1,6 A, Vgs=10V : typ 5 Ohm, max 6 Ohm Übertragungssteilheit bei Vds=25V, Id=1,6 A : min 0,7 S, typ 1,5 S Kapazitäten bei Vds=25V,Vgs=0V, 1MHz : Eingang : typ 1600 pF, max 2100 pF Ausgang : typ 70 pF, max 120 pF Rückw. : typ 30 pF, max 55 pF Zeiten bei Vcc=30V, Id=1,7 A, Vgs=10V, Rgs=50 Ohm: On delay: typ 30 ns, max 45 ns Rise : typ 40 ns, max 60 ns Off delay : typ 110 ns, max 140 ns Fall: typ 60 ns, max 80 ns Inversdiode: Idr = max 2,3 A (gepulst max 9 A ) Durchlaßspannung bei 4,6 A : typ 1,05 V, max 1,3 V Sperrverzögerungszeit bei Idr=2,3 A, dIf/dt=100A/s : typ 2 us _______________________________________
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BY123 ist ein Museumsstück. Mein Valvo Datenblatt ist von 1968, aber ich denke, das Teil ist schon vor Mitte der 60er Jahre auf den Markt gekommen. Grenzwerte: Transformatorspannung : 280 V eff Scheitelsperrspannung : 400 V periodische Spitzensperrspannung : 800 V Ausgangsstrom bei C-Last : 520 mA periodischer Spitzenstrom : 3 A Stoßstrom 10ms : 15 A Tj = 125 grdC. Tstg = -65 ... 125 grdC. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umbebung: 50 grdC./W Durchlaßspannung, zwei Dioden in Reihe: 3V bei 2A _______________________________________ BY261/600 Brückengleichrichter wurde 1980 von Valvo = Philips gefertigt. Metallgehäuse 28,6 x 28,6 x 11,2 mm hoch mit Zentralloch. Periodische Transformator- Spitzenspannung : 600 V Ausgangsstrom bei Kondensatorlast : 18 A Periodischer Spizenstrom : 75 A Einschalt Spitzenstrom : 640 A Durchlaßspannung zwei Dioden in Reihe bei 12A : max 2.3 V _______________________________________
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BY406 Fast Recovery Power Rectifier von einem MOTOROLA Datenblatt: Maximum Ratings : Vrrm = 350 V Vr = 300 V If average = 0.8 A If peak surge = 20 A Tj = -65 to 150 grdC. Characteristics : Vf at If=2A : typ 1.1 V, max 1.55 A Reverse Recovery Time at If=10mA, Vr=50V : typ 150ns, max 300ns ___________________________________________
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BYD74... Silizium Epitaxial Soft Recovery Gleichrichterdioden
Grenzwerte:
Ur = Urrm = 50V (..A), 100V (..B), 150V (..C), 200V (..D),
250V (..E), 300V (..F), 400V (..G)
Durchlaßstrom, Mittelwert, rechteckförmig, Diode auf Board mit
Lochraster 25mm, 3mm über Board, Umgebung= 60 grdC.:
1.35A (..A bis ..D), 1.2A (..E bis ..G)
Periodischer Spitzenstrom bei tp=10us, Tu = 60 grdC. :
13A (..A bis ..D), 12A (..E bis ..G)
Stoßstrom 50Hz-Halbwelle : 50 A
Sperrschichttemperatur : 175 grdC
Lagertemperatur : -65 ... 175 grdC.
Wärmewiderstand auf Board mit
Lochraster 25mm, 3mm über Board, : 105 K/W
Junction zu Gehäuse : 22 K/W
Kennwerte:
Durchlaßspannung bei If=2A, 25 grdC.:
max 0.94V (..A bis ..D),
max 1.05V (..E bis ..G)
bei 175grdC.: max 0.72V (..A bis ..D),
max 0.82V (..E bis ..G)
Sperrverzögerungszeit bei If=0.5A, Irm=1A, gemessen bei Ir=0.25A:
trr: max 25 ns (..A bis ..D), max 50 ns (..E bis ..G)
Das VALVO Datenblatt ist für Dioden recht umfangreich ( 8 Seiten !)
und hat viele Diagramme.
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BYV20 -45 von einem Datenblatt von VALVO=PHILIPS von 1983. Sperrspannung = max 45V Periodische Scheitelspannung = max 45V Stoßspitzenspannung = 54V Strom,Mittelwert bei Rechteckbetrieb = max 15A .... bei Sinusbetrieb = 12,5A Effektivwert = max 21A Stoßstrom (50Kz-Sinus-Halbwelle) = max 300A Grenzlast Integral = 450 sec x Amperequadrat Sperrschichttemperatur = max 150grdC Wärmewiderstand Junction zu Stutzen = 2,2 grdC/W Durchlaßspannung bei 15A = max 0,6V, bei 40A = max 1V Sperrschichtkapazität = typ 520pF Schaltzeiten, bzw Erhohlungszeiten usw sind nicht angegeben. Es scheint eine reine 50Hz-Gleichrichterdiode zu sein. __________________________________________ BYX25 600 R : R = Anode am Gehäuse Grenzwerte bei 25 grdC, f=50...400Hz : Gleich- Sperrspannung : 600 V periodische Scheitelsperrsp.: 600 V Dauerstrom (average) : 20 A periodischer Spitzenstrom : 440 A Stpßstrom bei 175grdC.: 360 A Grenzlastintegral 650 Sec x Amperequadrat Sperrverlustleistung (average) : 36 W Stoßverlustleistung 10 us : 18000 W Wärmewiderstand Junction-Case : typ 1.3 grdC./W Eigenschaften: Durchlaßspannung bei 50A : max 1,8 V _______________________________________
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BYX49 Silizium Gleichrichterdiode Kunststoffgehäuse 18 x 11 x 5,2 mm (ähnlich T0220- Vollplastik) mit Kühlfläche beim Loch: BYX49/.... : Anschluss 1 = Kühlfläche = Kathode BYX49/...R : Anschluss 1 = Kühlfläche = Anode Wenn man die Beinchen unten hat und auf die Kühlfläche sieht, ist Anschluss 1 rechts. Grenzwerte BYX49/300 /600 /1200 Ur Gleichspng. : 200 V 400 V 800 V Urwm periodisch : 200 V 400 V 800 V Urrm per.Spitzen: 300 V 600 V 1200 V If Mittelwert : 6 A bis 85 grdC., 3 A bis 120 grdC. If rms Effektiv : 9,5 A If Gleichstrom : 9,5 A Ifrm period Spitzenstrom : 20 A Ifsm Stoßstrom bei t=10ms, 150 grdC. : 40 A Grenzlastintegral : 8 Amperequadratsekunden Tj = 150 grdC. Wärmewiderstand Junktion zu Kühlfläche am Gehäuse: 4,5 K/W Eigenschaften: Uf bei If=20 A : max 2,3 V Ir bei Urwm , 125 grdC. : max 0,2 mA Diese Diode scheint als reiner 50 Hz Netzgleichrichter gedacht zu sein. Die periodischen Grenzwerte gelten bis 400 Hz. _______________________________________
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BYX56..... Diodes From a VALVO datasheet in german language BYX 56 / XXXX : Cathode connected with the case. BYX 56 / XXXX R : Anode connected with the case Absolute Maximum Ratings at f=50...400 Hz : Vr = V peak periodically = 600V / 800V / 1000V / 1200V / 1400V as indicated by the XXXX in BYX 56/XXXX typenumber. If average at Tcase=125 grdC.: 40 A at Tcase = 110 grdC.: 48 A If RMS = 75 A If DC = 75 A If periodically peak = 450 A Ifsm = 800 A (dump ? ) Integral I2dt = 3200 A*A*sec Power peak periodically = 6500 W for t=10us, Tj=25 grdC : 40 000 W Tj = 175 grdC. Tstg = -55 ... 175 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 0.8 K/W Characteristics : Vf at If=150A, Tj=25 grdC.: max 1.8 V Ir at Vrmax(as in the typenumber), Tj=125 grdC.: max 1.6 mA ___________________________________________
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BYY92 Kathode am Gehäuse Grenzwerte: periodische Spitzensperrspannung : 1600 V Stoss- Spitzenspannung : 2000 V periodischer Spitzenstrom : 10 A Stossstrom, aus Leerlauf : 50 A für 10ms, 55 A für 1 ms aus Nennlast : 30 A für 10ms, 33 A für 1 ms max Frequenz : 1000 Hz Sperrschichttemp. 150 grdC. Betriebs- und Lagertemp.: -55 ... 150 grdC. Wärmewiderstand Sperrschicht zu Gehäuse : max 5 grdC./W Kennwerte : Durchlassspannung bei If=2A : max 1.3 V _______________________________________
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BZX75C..V..
Diese Dioden, mit einer Typbezeichnung wie Zenerdioden, sind
Serienschaltungen von in Durchlassrichtung betriebenen Dioden, also mit
2x, 3x, 4x oder 5x 0.7.. V, von VALVO damals STABISTOR genannt.
Der Farbring kennzeichnet die Kathodenseite, hier also die Minusseite,
während bei den richtigen Zenerdioden ja der Kathodenstrich auf der
Plusseite ist.
BZX75 C 1V4 2V1 2V8 3V6
Uf bei 1mA : 1.16 bis 1.75 bis 2.33 bis 3.02 bis
1.34 V 2.05 V 2.7 V 3.45 V
Uf bei 10mA: 1.33 bis 1.99 bis 2.66 bis 3.42 bis
1.47 V 2.21 V 2.94 V 3.78 V
Temperaturabhängigkeit der Durchlassspannung
bei 1 mA : -4 -6 -8 -10 mV/K
bei 10mA : -3.3 -5 -6.6 -8.2 mV/K
Differentieller Widerstand bei 1 kHz
bei 1 mA : 60 90 120 150 Ohm
bei 10mA : typ 6 typ 9 typ 12 typ 15 Ohm
max 10 max 15 max 20 max 12 Ohm
Kleinsignal- Kapazität bei Ur= 0, f=1MHz: max 250 pF
Sperrverzugsladung beim Umschalten von If=10mA auf
Ur=5V (R=500 Ohm) : Qs max 600 pAs
Absolute Grenzwerte:
Sperrspannung : 10 V
Durchlassstrom Scheitelwert: 250 mA
Verlustleistung bei Umgebung = 32 grdC.: 400 mW
Sperrschichttemperatur : 200 grdC.
Lagertemperatur : -65 ... 175 grdC.
Wärmewiderstand Sperrschicht zu Umgebung: max 0.42K/mW
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