CD2315 The Manufacturer of the CD2315 was RF PRODUCTS INC. Absolute Maximum Ratings: Vces = 80 V Vceo = 35 V Vebo = 4 V Ic = 12 A Ptot = 250 W at 25 grdC Junction Temp.: 200 grdC. Storage Temp.: -65 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Case: max 0.7 grdC./W Characteristics at 25 grdC.: Ices at Vce=80V, Vbe=0V : max 200 mA Ico at Vce=35V, Ib=0 : max 200mA Iebo at Veb=4V : max 10 mA Pout at Vcc=28V, Pin=20W, f=150MHz : min 120 W efficiency at the same conds.: typ 65 % Collector Capacity at Vcb=28V, Ie=0, f=1MHz : 118 to 138 pF ______________________________________
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CGY21 (SIEMENS, 1982) is a two stage integrated GaAsFET amplifier. Pins clockwise beginning with the nose: Outp., Vs, Inp., Gnd and case. Maximum ratings: Supply Volt. at c. temp.=55grdC : max 6V at c. temp.=100grdC : max 3,5 V (I dont know if c. = case or channel) Thermal resistance channel to case max 50K/W Characteristics at Vs=4,5V, Rs=Rl=50 Ohm , 40 to 860 MHz : Oper. current = max 300mA, typ 225 mA Power gain : 19 to 23 dB flatness max 2 dB. Noise fig. :typ 1, max 2 dB ( On the diagram: Minimum for 200MHz) Two tone (806+810MHz)test: Lineat output volt for d im = 60 dB : min 280, typ 350 mV. Usable Frequency : 10MHz to 3 GHz ______________________________________
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CQL20 AlGaAs Double Heterostructure Laser Diode From the VALVO Databook Laser 1989: Pins: Laser Anode Common, Case Monitor Diode Anode (I dont know if clockwise or countercw., because I don't find if top or bottom view and the case is symmetrically.) Absolute Maximum Ratings at 25 grdC.: CW optical output power: max 5 mW Laser diode reverse voltage : max 2 V Monitor diode reverse voltage : max 30V Monitor diode current : max 10mA Operating Temp.: -10 to 70 grdC Storage Temp.: -40 to 85 grdC. Characteristics at Po=3mW, 25 grdC.: Laser diode: Threshold current: typ 40 mA, max 65 mA Operating current : typ 57 mA, max 75 mA Operating voltage : typ 1.8 V, max 2.5 V Differential efficiency: min 0.2 , typ 0.35, max 0.7 mW/mA Wavelength at peak emission: min 780 nm, typ 790 nm, max 800 nm Spectral width at FWHM : typ 2 nm Far Field Angle at FWHM : perpendicular to junction plane : min 25, typ 35, max 45 deg. parallel to junction plane : min 9, typ 12, max 16 deg. Rise an fall time above threshold: typ 0.5 ns Polarization ratio: typ 60 Astigmatic Distance : typ 3 um Monitor diode at Vrm=15V: Current : min 200 uA, typ 400 uA, max 700 uA Dark current : max 100 nA Capacitance : typ 5 pF, max 7.5 pF ______________________________________
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CQL75A/D
von einem vorläufigen Datenblatt im
PHILIPS-Datenbuch Laser-Technik von 1989.
Anschlüsse auf die Drähte gesehen, im Uhrzeigersinn:
Anode Sendediode
beide Kathoden
Anode Empfangsdiode
Maximum Ratings:
CW optical output power: max 2.5mW
Laser diode reverse voltage : max 1 V
Monitor diode reverse voltage : max 30V
Monitor diode current : max 10mA
Operating Temp.: -10 to 80 grdC
Characteristics at Po=2mW:
Laser diode:
Threshold current: typ 70mA
Operating current : typ 90mA, max 150mA
Operating voltage : typ 2V, max 2.5 V
Differential efficiency: min 0.075 , max 0.5 mW/mA
Wavelength at peak emission: min 805nm, typ 820nm, max 835nm
Spectral width at FWHM : typ 6nm
Collimation : min -0.3, max +0.3 mrad
Rise an fall time above threshold: typ 1 ns
Intensity profile:
Relative intensity at a distance of 2.25 mm from
the optical centre w.r.t.intensity
in beam centre : min 90%
Polarization ratio: min 6
Deviation mechanical/optical axis : max 13mrad
Wavefront aberration: max 70 mLambda
Monitor diode at Vrm=15V:
Current : min 150uA, max 1250uA
Dark current : max 20 uA
Capacitance : typ 5pF, max 10pF
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CQX41N LED
Technologie : GaAsP auf GaP
Kunststoffgehäuse diffus für großen Betrachtungswinkel 60 Grad.
Grenzwerte:
Ur = 5 V
If = 30 mA
I stoss = 1 A
Pv = 100 mW
Tj = 100 grdC.
Tstg = -55...100 grdC.
Wärmewiderst J-A : max 400 K/W
Kennwerte :
Lichtstärke bei 20 mA :
Gruppe A : min 2 mcd, typ 6 mcd
B : min 5 mcd, typ 12 mcd
max Emission bei typ 630 nm
Spectrale Halbwertsbreite : typ 40 nm
Durchlaßspannung bei 20 mA : typ 2.2V, max 3 V
Sperrschichtkapaz. bei Ur=0, f=1MHz : typ 50 pF
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CQY77 Infrarot-LED Metallgehäuse TO18 mit Glaslinse. Die Kathode ist bei der Nase. Die Anode ist auch mit dem Metallgehäuse verbunden. Ab 100mA Flussstrom muß das Gehäuse gekühlt werden. Grenzdaten: Sperrspannung max 4 V, Durchlassstrom max 230mA, Stoßstrom max 4 A für max 10us, Sperrschichttemperatur max 100 grdC, Wärmewiderstand Sperrschicht zu Luft 500grdC/W Kenndaten: Wellenlänge 950nm, Spektrale Bandbreite Delta Lambda = +-20nm, Öffnungskegel (für 50% der Strahlstärke in Linsenrichtung) 6 Grad, Schaltzeit für Anstieg der Strahlstärke von 10% auf 90% nach Anlegen von 100mA : 1 us, Kapazität 40pF, Durchlassspannung bei 100mA: 1,35V, max. 1,7V, Durchbruch- Sperrspannung min 4V, typ 30V, Es gab die CQX77 in drei Ausführungen: CQY77-I : Strahlstärke 8...16 mW/sr, CQY77-II: Strahlstärke 12,5...25 mW/sr, CQY77-III: Strahlstärke 20...40mW/sr ______________________________________
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