Den PN3644 habe ich in einem Datenbuch von NATIONAL SEMICONDUCTOR 1982 gefunden. Das Datenbuch ist nicht nach Typen sortiert, enthält also keine Datenblätter im üblichen Sinne. Stattdessen sind sogenannte Prozesse spezifiziert. Zu dem Prozess PNP63 gehören folgende Typen mit demselben Chip in verschiedenen Gehäusen: TO5 : 2N2905 TO18 : 2N2907 TO92 mit ECB-Pinanordnung: 2N3702 TO92 mit EBC-Pinanordnung: 2N4403 Unter NS/Fairchild-Typnummern gab es: TO237: TN2905 TO92 : PN3644 und andere PN-Typen, mit verschiedenen Spannungen und Stromverstärkungen, anscheinend Resteverwertung. PN3644: Vceo = 45V h FE at Ic=150mA,Vce=10V : min 100, max 300 2N2907: Vceo = 60V dieselbe Verstärkung Leider habe ich keine Angabe über die Pinanordnung des PN3644 gefunden, aber das können Sie ja ausmessen. Einer dieser Typen ist sicher noch zu bekommen. Wenn man mit email auch Transistoren verschicken könnte, hätten Sie ihn jetzt schon, denn er ist auch der Bodensatz meiner Bastelkiste. ______________________________________
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______________________________________ PT3503 VHF Power Transistor Collector cutted, opposite Base. Maximum Ratings: Vcbo = 40 V Vceo = 25 V Vebo = 3 V Ic = 0.75 A P tot = 10 W at 25 grdC. Tj = 200 grdC. Tstg = -65 to 200 grdC. Thermal resistance junction to case: 17.5 grdC./W Characteristics : Icbo at Vcb=15V : max 100 uA DC Current Gain at Vce=15V, Ic=50mA : min 15, max 100 Collector Capac. at Vcb=15V, Ie=0, f=140kHz : max 10 pF Output power at Vce=15V, Pin = 200 mW, f=150MHz : min 2.5 W Efficiency at the same conditions : min 55 % Power gain at the same conditions : min 10 dB ______________________________________________ PT4304B UHF Power Transistor Collector cutted, opposite Base. Maximum ratings: Vcbo = 55 V ( at Ic=2 mA ) Vceo = 35 V ( at Ic=50mA ) Vebo = 3.5 V ( at Ie=0.2 mA) Ic = 1 A P tot = 10 W at 25 grdC. Tj = 200 grdC. Tstg = -65 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : 17.5 grdC./W Characteristics: Icbo at Vcb=15V : max 100 uA h fe at Vce=5V, Ic=100mA : min 20, max 200 Output Power at Vce=24V, Pin = 300 mW, f=470 MHz : min 2 W ______________________________________
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______________________________________ PT9734 VHF Power Transistor for 28V, 175MHz Class A, AB or C- Amplifiers. Ballast Resistor Design. Continuous Collector Current : 2.5 A Power Dissipation at 25 grdC.: 30W Storage and Junction Temperature : -65 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : 5.8 grdC./W Characteristics at 25 grdC.: Vebo at Ic=0, Ie=3mA : 4 V Vces at Vbe=0, Ic=50mA : 60V Vceo at Ib=0, Ic=25mA : 35V Ices at Vce=25V : 0.75 mA DC Current Gain at Ic=500mA,Vce=10V : 20 to 150 RF Power at Vce=28V, Pin=1W, 175MHz : min 15 W (saturated :18W at 1.5Win) Collector Efficiency at .... : min 60 % Mismatch Tolerance VSWR at .... : infinite Collector Basis Capacitance at Vcb=28V : max 24 pF ______________________________________
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PT9780 VHF Power Transistor
from the databook RF-Devices 1985 by TRW.
The collector lead is triangle cutted.
Absolute Maximum Ratings:
Vcbo for Ic=100mA = 70 V
Vce0 for Ic=50mA = 40 V
Vebo = 4 V
Ic = 20 A
Pd = 350 W (PT9780 = Flange package)
Pd = 250 W (PT9780A = Stud package)
Storage Temp.: -65 to 200 grdC.
Thermal Resistance junction to case : max 0.5 grdC./W ,
max 0.7 grdC./W for Stud package
Characteristics:
DC Current Gain at Vce = 5V : 10 to 100
Power Gain at Vce=28V, Pout=100W PEP, f=28MHz : min 14 dB
Intermodulation Distortion at.... : max -32 dB
Mismatch Tolerance at .... : infinite VSWR
Selected from Diagrams:
Class C, f=100MHz: Power Input/Output at Vce=28V:
8W/45W, 16W/90W, 24W/125W, 32W/150W
ClassAB, f= 30MHz: 1W/60W, 2W/105W, 3W/140W, 4W/175W
Transit Frequency at Vce=15V for Ic=1 to 10A: 200 to 230MHz
Power Gain at 100MHz, Pout=150W: 6 dB
Series Input Impedance at Vce=28V, Pout=100W, f=100MHz:
0.7 + j 0.5 Ohm
Series Load Impedance at .... : 2.5 + j 0.5 Ohm
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______________________________________ PT9787 SSB Power Transistors. TRW PT9787 = mit Flansch PT9787A = mit Schraubstutzen Absolute Maximum Ratings: Vcbo = 60 V Vceo = 40 V Vebo = 4 V Ic = 2 A Ptot = 25 W Tstg = -65 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Case: 7 grdC./W Characteristics: DC Current Gain at Vce=5V : 10...100 Power Gain at Vce=28V, 8 W PEP, 28 MHz : min 14 dB Intermodulation Distortion at ... : max -32 dB VSWR mismatch tolerance at ... : infinite Das ist schon alles. Die TRW Datenblätter waren damals für wenig ausagekräftige Daten bekannt. Auch Könnern unter meinen Kollegen gelang es selten, die Leistungswerte in der Praxis zu erreichen. Deshalb hier nur noch einige verführerische Werte aus den Diagrammen: 20 W Output aus 1.5 W input bei 28V , 100 MHz in Class C; 9 W Output aus 0.43W input bei 28V , 30 MHz in Class A; Power Gain sinkt von 28 dB bei 10 MHz auf 12 dB bei 100 MHz (28V, 15W Output). ______________________________________
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PT9790 RF Power Transistor
PT9790 (Flange), PT9790A (Stud)
Maximum Ratings:
Vcbo at Ic=100mA, Ie=0 : min 110 V
Vce0 at Ic=100mA, Ib=0 : min 55 V
Vcer at Ic=100mA,Rbe=10 Ohm: min 110 V
Vebo at Ie=20mA : min 4 V
Ic = 20 A
Tj = 200 grdC.
Storage Temp.: -65 to 200 grdC.
Thermal Resistance junction to case : max 0.5 grdC./W
From a diagram: Pd at heatsink Temp.= 0 grdC.: 220 W
Characteristics:
DC Current Gain at Vce = 6V , Ic=1.4A : 15 to 50
Power Gain at Vce=50V, Pout=150 W PEP, f=28MHz :
min 15 dB, typ 17 dB
Intermodulation Distortion at the same conditions :
typ -35 dB,max -32 dB
Mismatch Tolerance at the same conditions : infinite VSWR,
3 sec, any angle
From a diagram Pout vs. Pin :
20W at 0.5W ; 120W at 1W ; 170W at 2W ; 190W at 3W (very
nonlinear, no declaration of test conditions)
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Der PTB20062 ist ein noch gar nicht so alter Typ von ERICSSON.
Das Datenblatt enthält, wie leider bei Sendetransistoren üblich,
nur wenige Daten:
UHF Dual Power Transistor
Maximum Ratings:
Coll.-Em.-Volt.= 40 V
Coll,-Base-Volt.= 60 V
Em.-Base-Volt.(Coll. open)=4V
Coll.Current(continuous)=25A
Total Dev.Dissipation at Flange=25grad Celsius: Pd=330W
above 25 grdC derate by 1.89 W/grdC.
Storage Temp.=150grdC
Thermal Resistance (Flange=70grdC) = max 0,53 grd/W
Characteristics:
at 450-500MHz, 25V, 200mA per side:
Power Output : min 150W
Power Input : max 15W
Power gain : min 10dB, typ 11,5dB
Coll.Efficiency : typ 60%
Load Mismatch Tolerance : max 5:1
Breakdown Voltage E to B at Ic=0,Ie=5mA: min 3.5V, typ 5 V
Breakdown Voltage C to E at Vbe=0, Ic=100 mA: min 55V, typ 70V
Breakdown Voltage C to E at Ib=0, Ic=100mA: min 25V, typ 30V
DC Current Gain at Vce=5V, Ic=1A :
h FE = min =20, typ 50, max =100
Input Impedance (Basis zu Basis) 450MHz: Real 0,3 Imaginär: 0,8
(Ohm, nehme ich an);
500MHz: 0,4 und 0,9
Output Imp. 450MHz: 1,6 und 0,2 ; 500MHz: 1,4 und 0
Auf der schönen Maßzeichnung fehlen leider die Angaben, wo Basis und
Coll. der beiden Transistoren sind.
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______________________________________ PTC6002 NPN- Power Darlington- Transistor Ich staune immer wieder, was für Exoten sich in meiner Sammlung befinden. Die Firma Allen-Bradley ist mir nur mit Widerständen in Erinnerung, aber sie hatte damals wohl die POWER TRANSISTOR COMPONENTS geschluckt und kurze Zeit noch deren Produkte weitergeführt. Leider steht auf dem Datenblatt kein Datum. Es handelt sich beim PTC6002 um einen TO3 NPN-Darlington- Transistor mit einer Diode vom Emitter zu Basis des ersten Transistors. Parallel dazu sind 200 Ohm eingezeichnet. Parallel zur B-E Strecke des 2. Transistors liegen 15 Ohm. Absolute Maximum Ratings: Vcbo = 450 V Vceo = 450 V Ic = 15 A Ic peak = 30 A Ib = 4 A Ib peak = 6 A Pd = 125 W at Tc=25grdC. Junction Temperature : -65 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case: typ 1 grdC./W Characteristics: Collector Emitter Sustaining Voltage at Ic=2A, L=2mH: min 400 V Collector Cutoff Current at 400 V : max 1 mA Emitter Cutoff Current at Veb=4V : max 300 mA DC current gain h FE at Ic=10A, Vce=5V : min 30, max 120 Coll.Em.Saturation Voltage at Ic=10A,Ib=1A : typ 1.2V, max 1.5V. Vbe sat. at Ic=10A, Ib=1A : typ 2.2V, max 2.5V Times at Vcc=150V,Ic=10A,Ibon = 1 A, Iboff = -1A (Peak): Delay: - Rise: max 0.4 us Storage: max 2.5 us Fall: max 1 us ______________________________________
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______________________________________ PTC6023 NPN Power Darlington Transistor with internal Diode between Emitter and Base of the first transistor (cathode= base). Also parallel to the Base- Emitter of the 1st Ts is a 300 Ohm internal resistor; parallel to the 2nd base- emitter is a 15 Ohm resistor. Absolute Maximum Ratings: Vcbo = 600 V Vceo = 600 V Ic = 30 A Ic peak = 50 A Ib = 5 A Ib peak = 10 A Pd = 125 W at Tc=25grdC. Junction Temperature : -65 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case: typ 1 grdC./W Characteristics: Collector Emitter Sustaining Voltage at Ic=2A, L=2mH: min 400 V Collector Cutoff Current at rated collector voltage: max 0.5 mA Emitter Cutoff Current at Veb=4V : max 300 mA DC current gain h FE at Ic=10A, Vce=5V : min 50, max 750 Coll.Em. Saturation Voltage at Ic=20A, Ib=1A : max 2 V. Vbe (sat) at Ic=20A, Ib=1A : max 2.5 V Times at Vcc=300V,Ic=20A,Vbe=-6V, Ibon = 1 A, Iboff = -1A (Peak): Delay: max 0.04 us Rise: max 0.4 us Storage: max 6.5 us Fall: max 1 us ______________________________________
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______________________________________ PTC6072 NPN Darlington Transistor/ Power Diode Module with an internal Power Diode from Emitter- pin to Collector- pin and an internal Diode between Emitter and Base of the first transistor (cathode= base). Also parallel to the Base- Emitter of the 1st Ts is a 200 Ohm internal resistor; parallel to the 2nd Base- Emitter is a 15 Ohm resistor. Absolute Maximum Ratings: Vcbo = 500 V Vceo = 500 V Ic = 40 A Ic peak = 50 A Ib = 5 A Ib peak = 10 A Pd = 125 W at Tc=25grdC. Junction Temperature : -65 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case: typ 1 grdC./W Characteristics: Collector Emitter Sustaining Voltage at Ic=2A, L=2mH: min 350 V Collector Cutoff Current at rated collector voltage: max 0.5 mA Emitter Cutoff Current at Veb=4V : max 300 mA DC current gain h FE at Ic=10A, Vce=5V : min 50, max 250 Coll.Em. Saturation Voltage at Ic=20A, Ib=1A : max 2 V. Vbe (sat) at Ic=20A, Ib=1A : max 2.5 V Times at Vcc=300V,Ic=20A,Vbe=-6V, Ibon = 1 A, Iboff = -1A (Peak): Delay: max 0.04 us Rise: max 0.4 us Storage: typ 5us, max 6.5 us Fall: typ o.8 us, max 1 us Inverse Parallel Diode: Vrr = min 500 V Vf at Ic=40A : typ 1 V, max 1.5 V Reverse Recovery Time at If=20A,di/dt=50A/us : max 500 ns ______________________________________
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