TA7337 was the RCA development type number of the
2N6032 NPN epitaxial Power Transistor.
TO204 Gehäuse (Metall)
Absolute Maximum Ratings :
TA7337 TA7337A
Vcbo : 120 V 150 V
Vcer at Rbe=<50 Ohm:
110 V 140 V
Vceo base open : 90 V 120 V
Vebo : 7 V
Ic = 50 A 40 A
Ib : 10 A
Ie : 50 A 40 A
Ptot : 140 W
Thermal Resistance Junction to Case : max 1.25 grdC./W
Characteristics at 25 grdC.:
Vce(sat) at Ic=50A, Ib=5A : max 1.3V
Vbe(sat) at Ic=50A, Ib=5A : max 2 V
DC Forward Current Transfer Ratio at Vce=2.6V, Ic=50A :
min 10, max 50
at f=5MHz, Vce=10V, Ic=2A : min 10
Second Breakdown Collector Current with base forward
biased, t=1 s :
at Vce=24V : max 5.8 A
at Vce=40V : max 0.9 A
Gain Bandwidth Produkt at f=5MHz, Vce=10V, Ic=2A : min 50 MHz
Output Capacitance at Vcb=10V, f=1MHz : max 800 pF
Times at Vcc = 30V, Ic=50A, Ib1= Ib2 = 5 A :
Rise : max 1 us
Storage : max 1.5 us
Fall : max 0.5 us
From a diagram:
Second Breakdown Collector Current at 100 grdC., t=1 s :
at Vce = 24 V : max 3.2 A
at Vce = 40 V : max 0.7 A
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______________________________________ TIP120/121/122 NPN Darlington Transistors TIP125/126/127 PNP Darlington Transistors Maximum Ratings : Vceo = Vcb : TIP120, TIP125 : 60 V TIP121, TIP126 : 80 V TIP122, TIP127 : 100 V Veb : 5 V Ic : 8 A Ic peak : 16 A Ib : 120 mA Pd at 25 grdC.: 65 W Derate above 25grdC.: 0.52 W/grdC. Top = Tstg : -65 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 1.92 grdC./W Characteristics : DC Current Gain at Vce=3V, Ic=0.5A or 3A : min 1000 Vce(sat) at Ic=3A, Ib=12mA : typ 2 V at Ic=5A, Ib=20mA : typ 4 V Vbe(on) at Ic=3A : typ 2.5 V Output Capacitance at Vcb=10V, Ie=0, f=100kHz : typ 200pF(NPN), typ 300pF(PNP) Safe Operating Area, Second Breakdown Limit: DC: TIP120: 2.4A at 30V, 1.2A at 40V, 0.1A at 60V TIP121: 2.4A at 30V, 0.75A at 60V, 0.1A at 80V TIP122: 2.4A at 30V, 0.75A at 60V, 0.1A at 100V 5ms pulse: 3A at 45V 1ms pulse: 4A at 60V ______________________________________
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______________________________________ TIS58 N-Channel JFET I don't possess the original Texas Instrument datasheet. But I have some datas in a summary National Semiconductor databook. He was a second surce. TO92 bottom view: _______ | D G S | \_____/ Gate Source Breakdown Voltage at Ig=1uA : min -25 V, typ -40 V Reverse Gate Leakage at Vdg=15V : max 4 nA Idss at Vds=15V : min 2.5 mA, max 8 mA Gate Source Cutoff Voltage at Vds=15V,Id=20nA : min 0.5V, max 5 V Forward Transconductance at Vds=15V : min 1.3 , max 4 mmho (mS) Input Cap. at Vds=15V, Id=2 mA : max 6 pF Reverse Cap. at Vds=15V, Id=2mA : max 3 pF Noise Figure at Vdg=15V, Id=5mA, Rg=1kOhm, f=400MHz : typ 2.2 dB, max 4 dB Power Gain at the same conditions.: typ 12 dB From the same chip- process National Semiconductor was deriving a lot of well known types: 2N4416, 2N3819, 2N5248, 2N5940...5953 J305 BF244, BF245, BF256 BC264 ______________________________________
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______________________________________ TLC386D Triac von SGS Thomson Das D steht vielleicht für das abgesägte TO220 ähnliche Gehäuse für Oberflächenmontage. Für den Typ ohne D habe ich kein Datenblatt. Pins (von links nach rechts, wenn der Flansch oben hinten ist): A1 - A2 - Gate Absolute Maximum Ratings: Repetitive Peak off-state Voltage at 110 grdC.: 600 V RMS on-state Current (full wave) at 40 grdC.: 3 A Non Repetitive Surge Peak onstate Current, half sine wave, 25 grdC.: 30 A I2t Value for Fusing at t=10ms : 4.5 A2s (Square-Ampers/sec) Critical Rate of Rise at Ig=100mA: 10 A/us Junction Temp.: 110 grdC. Storage Temp.: -40 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Ambient : typ 50 grdC./W Gate Characteristics: I GT at Vd=12V, RL=33Ohm, Pulse Duration 20 us: Quadrants 1 to 3 : max 5 mA Quadrants 4 : max 10 mA V GT at Vd=12V, RL=33 Ohm, Pulse Duration >20us : max 1.5 V t gt at Vd=600V, It=4A, Ig=100mA, dIg/dt = 1 A/us : typ 3 us Ih at It=100mA, Gate open : max 15 mA Il at Vd=12V, Ig=20mA, Pulse Duration >20us : max 15 mA Vtm at Itm=4A, tp = 10 ms : max 1.85 V dv/dt at Gate open, 110 grdC., lin slope up to 400V: typ 10V/us Leider finde ich nichts über die Gesamtverlustleisung. Gate Verlustleistung im Mittel maximal 0,1 W (für 10us: 2W) Ig max 1A für 10us Vg max 16 V für 10us ______________________________________
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______________________________________ TMPFJ211 N Channel Junction FET is a second source type of the standard J211 (Intersil, Siliconix) made by SPRAGUE in 1986. It has the SMD- Case TO-236 with Drain (at the left,bottom), Gate (middle-top) and Source (right-bottom), all with view on the stamped side. Absolute Maximum Ratings: Gate Current = max 10mA Operating Junction Temp. = +150 grdC Characteristics at 25grdC: Vgs(breakdown) = 25 V Vgs(off) at Vds=15V,Id=1nA : -4.5 to -2.5 V Idss at Vds=15V: 7 to 20 mA g fs at Vds=15V: 6 to 12 mS (S = 1/Ohm) Input Capacitance at Vds=15V: typ 5 pF Feedback Cap.: typ 1.5 pF Noise Voltage at Vds=15V,Vgs=0V,f=1kHz : e = 1 nV / Square-Root of Hz (Selected from a diagram: at 100Hz : e = 4 nV/.... at 10Hz: e = 11 nV/... ) ______________________________________
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TP3098 NPN UHF Linear Transistor
TRW Semiconductors, from a preliminary datasheet:
The 45 degree cutted pin is the collector.
Maximum Ratings:
Breakdown Vebo at Ie=0.1mA : min 3.5 V
Vceo at Ic=10 mA : min 25 V
Vcer, 10 Ohm, Ic=10mA : min 30 V
Vcbo at Ic=1 mA : min 30 V
Ic = max 200 mA
P tot = max 5 W
Tj = tstg = -65 to 200 grdC.
thermal Resistance Junction to Case : max 35 grdC./W
Characteristics:
DC Current Gain at Ic=90mA : min 25
Collector Base Leakage at Vcb=15V : max 200 uA
Noise Figure at Vce=15V, Ic=40mA, f=500MHz :
typ 4.7 dB, max 5.2 dB
Collector Base Capacitance at Vcb=10V, f=1MHz : typ 2.5 pF
Application at Vce=15V, Ic=100mA, f=500MHz:
Cutoff Frequency : typ 2.6 GHz
Maximum unilateralized gain : typ 13.6 dB
Forward Gain 50 Ohm/ 50 Ohm : typ 11.5 dB
Intermodulation Distortion, 3- Tone DIN45004B,
75 Ohm Load, Vout=700mV: typ -65 dB, max -60 dB
From a very small diagram I can try to select S- parameters
for Vce=15V, Ic=100mA for a given frequency.
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TPV376 UHF linear power transistor
manufactured by TRW in the 1980s.
Class A and AB band 3 TV transmitter application.
Characteristics:
Emitter Base Breakdown Voltage at Ie=20mA: min 4 V
Collector Emitter Br. Volt. at Ic=100mA : min 35 V
with Rbe=10 Ohm : min 60 V
Collector Base Breakdown Voltage at Ic=100mA : min 65 V
Max. Collector Current : 16 A
Dissipated Power at Heatsink=25 grdC. : 150 W
Storage and Junction Temp.: -65 to 200 grdC.
Thermal Resistance Junction to Case: typ 0.9, max 1 grdC./W
DC Current Gain at Vce=5V, Ic=1 A : min 20, max 120
Power Gain at Vce=28V, Ie=3.5A, P ref = 20W, f=225 MHz :
min 7.5dB, max 8dB
Mismatch Tolerance at the same conds : VSWR infinite
Collector Base Capacitance at Vcb=30V, f=1MHz :
typ 100pF, max 150pF
IMD1 (3-Tone): max -53 dB
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______________________________________ TRW2001 Microwave Power Transistor From a datasheet in the databook TRW 1985. For the mechanical specifications the datasheet has 2 different outline drawings, but I don'n find a type number suffix to distinguish them! Characteristics at 25 grdC.: Coll.Base Breakdown Voltage at Ic=10mA : min 50 V Emitter Base Breakdown Volt.: at Ie=1mA,Ic=0 : min 4 V Icbo at Vcb=28V,Ie=0 : typ 500 uA , at Vcb=45V : typ 1 mA Ic continuous at Vce=4V : max 0.25 A Forward Current Transfer Ratio at Vce =5V, Ic=100mA : h FE : min 10, max 120 Collector Base Capacitance at Vcb=28V: max 3 pF Output Power at f = 2 GHz , Pin=0.125 W : min 1 W Power Gain at Po=1W, f=2GHz : min 9 dB Mismatch Tolerance at Vcc=28V,Po=1W, f=2GHz : VSWR = infinite Max Junction and Storage Temp.: -65 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Flange : 28 grdC./W From a diagram: Input Impedance at Vcc=28V: (Ohm ? ? ) 1 GHz : 0.15 + j 0.4 1.5 GHz : 0.17 + j 0.5 2.3 GHz : 0.25 + j 0.67 Output Impedance: 1 GHz : 0.22 - j 1.2 1.5 GHz : 0.2 - j 0.65 2.3 GHz : 0.12 - j 0.3 ______________________________________
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TRW53601 Microwave Class-A Power Transistor
Grenzwerte:
Vceo = 24 V
Vcer (10 Ohm) = 50 V
Vcb0 = 45 V
Vebo = 3.5 V
Ic = 400 mA at max Vce=7.5 V
tj = Tstg = -65 to 200 grdC.
Thermal resistance Junction to Case : max 31 grdC./W
Characteristics, common emitter, Class A:
Cob at Vcb=28V : max 3.5 pF
Po at Vce=20V,Ie=120mA, Pin=0.113 W, f=2GHz : min 0.8 W
Frequency Cutoff : min 3 GHz, typ 3.3 GHz
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______________________________________ TRW 63601 Micriwave Power Oscillator Transistor Breakdown Vceo at Ic=10mA : min 22 V Vcer at Rbe=10 Ohm, Ic=10mA : min 50 V Vcbo at Ic= 1mA : min 45 V Vebo at Ie=0.25mA : min 3.5 V Safe Oporating Area at T flange = 75 grdC.: 270 mA until 14.5 V, derating to 170 mA at 22 V Tstg = Tj = -65 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Flange : max 32 grdC./W Forward Current Transfer Ratio at Ic=100mA, Vce=5V : min 20, max 120 Collector Base Capacitance at Vce=28V, f=1 MHz : max 3.5 pF RF Test at Vce=20V, Ie=120mA: Frequ. Cutoff : min 3 GHz, typ 3.3 GHz Power Output at 2.3GHz : min 0.6 W Mismatch Tolerance at Po =0.6W : infinite : 1 ______________________________________
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______________________________________ TW12N600CX TRIAC von AEG-BELECKE Die kleine Lötöse ist das Gate, die große Lötöse ist die Gate-ferne Anode A2, das Gehäuse die Gate- nahe Anode A1. Grenzwerte: Periodische Sperrspannung : 600 V Durchlaßstrom, effektiv : 30 A Spitzenstrom, periodisch: 120 A Dauergrenzstrom bei 85 grdC., eff.: 12 A Stoßstrom 10 ms bei 45 grdC.: 140 A bei 125 grdC.: 110 A Grenzlastintegral bei 45 grdC.: 98 AmperequadratSec bei 125 grdC.: 61 A2s Kritische Stromsteilheit : 50A/us Spannungssteilheit : 10V/us Verlustleistung keine Angaben Betriebstemp.: -40 bis 125 grdC. Wärmewiderstand Sperrschicht zu Gehäuse : 2,1 grdC./W Kennwerte: Durchlaßspannung bei If=20A : max 2,1 V Sperrstrom bei 600V, 125 grdC.: max 5 mA Zündstrom bei Ud=+/-12V, Ra=20 Ohm : max 80 mA Zündspannung bei dito: max 3 V Haltestrom bei dito : 100 mA Einraststrom bei dito: 240 mA Zündverzögerung bei +/-300V, It=+/- 1A : max 3 us ______________________________________
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______________________________________ TW6N600CZ Hersteller AEG- BELECKE (1975) Anschlüsse : Gehäuse = Gate- nahe Anode 1 Langer Pin : Anode 2 Kurzer Pin : Gate Grenzwerte bei 25 grdC.: Urrm = 600 V Udrm = 600 V Irms = 12 A eff Periodischer Spitzenstrom Irm = 35 A Dauergrenzstrom bei Tg=85 grdC.: 6 A eff Stoßstrom bei Tj=45grdC., t=10ms : 60 A bei Tj=125 grdC.: 48 A Grenzlastintegral bei Tj=45grdC., t=10ms : 18 A2s bei Tj=125 grdC.: 11.5 A2s Kritische Stromsteilheit bei Tj=125grdC., iTM=17A, Ud=67%Udrmax, fo=50Hz: 20A/us Kritische Spannungssteilheit nach vorausgehendem Durchlaßstrom: bei Tj=125grdC., +/-iTM=8.5A, di/dt=2.7 a/ms : 5 V/us Betriebstemp.: -40 ... 125 grdC. Wärmewiderstand Sperrschicht- Gehäuse : 3.3 grdC./W Kennwerte bei 25 grdC.: Durchlaßspannung bei +/- It = 17 A : max 3.2 V Sperrstrom bei +/-Ud=600V, Tj=125grdC.: +/-max 2 mA Zündstrom bei +/-Ud=12V,RA=20 Ohm :+/- max 50 mA Zündspannung bei dito : +/- max 3 V Haltestrom bei dito :+/- max 60 mA Einraststrom bei dito : +/-typ 150 mA Nullkapazität bei f=10kHz : typ 170 pF Zündverzögerung bei +/-Ud=300V, +/-IT=10A : max 5 us ______________________________________
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______________________________________ TXD10K40 Triac von Siemens im TO220- Gehäuse. Anschlüsse: links A1, A2, Gate rechts. Kurzdaten: Höchste periodische Spitzensperrspannung : 400 V Stoßstrom 50Hz-Sinusvollwelle : 100 A Höchster zulässiger Steuerstrom : 3 A Grenz- Effektivstrom : 12 A Oberer Zündstrom in allen Quadranten : 50mA (bei Typ ...R) bei Typ ... P ist der Quadrant mit A2 negativ gegen A1, und G positiv gegen A1 nicht spezifiziert. Haltestrom: 50 mA Durchlaßspannung bei It=24A : max 3.5 V Kritische Stromsteilheit : 20A/usec Höchste nichtzündende Steuerspannung : 0.2 V ______________________________________
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